[實用新型]陶瓷殼體高頻三相整流橋結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120349816.7
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN202231626U
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發(fā)明（設計）人: 苗任忠
• 申請（專利權）人: 朝陽無線電元件有限責任公司
• 主分類號: H02M7/02
• 分類號: H02M7/02;H05K5/04
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 蔣常雪

技術領域

本實用新型涉及一種陶瓷殼體高頻三相整流橋結構。

背景技術

目前，國內(nèi)通用的硅三相橋式整流器屬于工頻器件，一是只能應用于工業(yè)電網(wǎng)的交、直流轉換。不能用于高頻振蕩電子線路中作高頻(3KHZ以上)交、直流的轉換，使用范圍有局限。二是橋式整流器均為塑料澆注而成，非氣密性封裝的塑料外形產(chǎn)品用于高可靠工程上也有很大的風險。

實用新型內(nèi)容

本實用新型需要解決的技術問題就在于克服現(xiàn)有技術的缺陷，提供一種陶瓷殼體高頻三相整流橋結構，結構簡單巧妙，氣密性封裝良好，保證了芯片具有良好的散熱效應，適應高頻振蕩電子線路的應用。

為解決上述問題，本實用新型采用如下技術方案：

本實用新型提供了一種陶瓷殼體高頻三相整流橋結構，包括殼體，殼體安裝有5個銅引線腳，及一個三相整流橋電路板。

所述三相整流橋電路板由一個正極銅帶和三個負極銅帶構成，每個正極銅帶由一個銅帶及3個管芯及管芯焊接區(qū)構成，每個負極銅帶由一個銅帶及一個管芯及管芯焊接區(qū)構成，三相整流橋電路板上管芯焊接區(qū)為鉬片。

所述殼體由鎢銅合金底板和鐵鎳合金邊框構成，所述鎢銅合金底板上復合有一層氧化鈹層，所述銅引線腳與鐵鎳合金邊框連接處設置有絕緣子，每個銅引線腳絕緣子由94％的Al₂O₃陶瓷組成。

所述殼體上焊結有鐵鎳合金蓋板。

本實用新型結構簡單巧妙，氣密性封裝良好，保證了芯片具有良好的散熱效應，適應高頻振蕩電子線路的應用。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖2為本實用新型所述正極銅帶結構示意圖。

圖3為本實用新型所述負極銅帶結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型提供了一種陶瓷殼體高頻三相整流橋結構，包括殼體，所述殼體由鎢銅合金底板1和鐵鎳合金邊框2構成。所述鎢銅合金底板上復合有一層氧化鈹層，所述管殼上焊結有鐵鎳合金蓋板(圖1為裝配圖，故未標出)。殼體安裝有5個銅引線腳3-1、3-2、3-3、3-4、3-5，及一個三相整流橋電路板。每個銅引線腳與鐵鎳合金邊框連接處設置有絕緣子3-6，所述銅引線腳絕緣子由94％的Al₂O₃陶瓷組成。

如圖1所示，所述三相整流橋電路板由一個正極銅帶4和三個負極銅帶5構成，如圖2所示，正極銅帶由一個銅帶4-1和3個管芯4-2及管芯焊接區(qū)4-3構成，如圖3所示，每個負極銅帶由一個銅帶5-1和一個管芯5-2及管芯焊接區(qū)5-3構成，三相整流橋電路板上管芯焊接區(qū)為鉬片。本實用新型結構簡單巧妙，氣密性封裝良好，保證了芯片具有良好的散熱效應，適應高頻振蕩電子線路的應用。

當然，三相整流橋電路板6個管芯也可以直接焊接在管殼鎢銅合金底板上，再用銅帶連接。

本實用新型是一種氣密性封裝陶瓷殼體高頻三相整流橋結構，殼體采用94％的Al2O3陶瓷絕緣子、鎢銅合金底板、鐵鎳合金邊框、紫銅內(nèi)引線、氧化鈹與底板絕緣、電極板上管芯焊接區(qū)為鉬片等，保證了芯片具有良好的散熱效應。蓋板為4J42鐵鎳合金，器件封裝采用氮氣保護平行縫焊結。為適應高頻振蕩電子線路的應用，輸入信號頻率變化特別快時，為使管芯的導通與關斷能夠適應極速變化的高頻，管芯制成具有導通速度快的芯片。為減少結電容，芯片面積在保證8.3A電流(該三相橋管芯取I0/6)的前提下越小越好，選擇為10mm²(系數(shù)為0.8)。為防止沾污而造成器件性能變化和電壓蠕變等現(xiàn)象，除了采用SiO₂鈍化外，還在SiO₂層上淀積一層Si₃N₄氮化硅保護層。

本實用新型將管芯從正向導通轉變?yōu)榉聪蚪刂顾?jīng)過的整個反向恢復過程的時間控制在數(shù)百納秒級，從而用高頻管芯制成的三相整流橋，滿足了高頻電子線路的需要。

最后應說明的是：顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本實用新型所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本實用新型的保護范圍之中。