[實用新型]一種高壓發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120343669.2
• 申請日: 2011-09-14
• 公開（公告）號: CN202259303U
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何建波;王漢華;易賢;楊新民;靳彩霞;董志江
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種高壓發(fā)光二極管芯片，包括襯底層、過渡層、第一半導(dǎo)體層、有源層、第二半導(dǎo)體層、透明導(dǎo)電層和鈍化層，所述襯底層和第一半導(dǎo)體層之間設(shè)置有過渡層，所述第一半導(dǎo)體層上依次設(shè)置有有源層和第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層上設(shè)置有透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述芯片上還刻蝕有溝槽，所述溝槽將芯片分割為多個相互隔離的單元，所述鈍化層位于芯片的表面和側(cè)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述溝槽刻蝕到襯底層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述每個相互隔離的單元上均勻分布有設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的第二電極和沉積于第一半導(dǎo)體層上的第一電極，以及第一電極和第二電極之間的發(fā)光區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述多個隔離的單元之間相互串聯(lián)，其中上一個單元的第一電極與下一個單元的第二電極通過金屬材料相互連接，形成一定的電流方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述多個隔離的單元每個單元上的發(fā)光區(qū)域的面積均相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極為N電極，所述第二電極為P電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的高壓發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述高壓發(fā)光二極管芯片為正方形，其邊長為45mil。