[實用新型]一種與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120341396.8 | 申請日： | 2011-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN202261791U | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 繆建民 | 申請（專利權(quán)）人： | 華景傳感科技（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04;H04R7/00 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 殷紅梅 |
| 地址： | 214131 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 cmos 電路 縱向 集成 mems 麥克風 | ||
1.?一種與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，包括背極板硅基（1）及位于所述背極板硅基（1）上方振膜硅基（9）；其特征是：所述背極板硅基（1）上對應于與振膜硅基（9）相連的另一側(cè)設(shè)有CMOS電路（2），背極板硅基（1）對應設(shè)置CMOS電路（2）的表面上淀積有電絕緣層，所述電絕緣層上設(shè)有金屬鍵合層（7），所述金屬鍵合層（7）與CMOS電路（2）的連接端電連接；背極板硅基（1）上設(shè)有若干聲孔（18），所述聲孔（18）位于振膜硅基（9）的正下方，且聲孔（18）從金屬鍵合層（7）的表面向下延伸貫通背極板硅基（1），背極板硅基（1）對應于設(shè)置聲孔（18）表面的金屬鍵合層（7）形成下電極（6）；振膜硅基（9）對應于與背極板硅基（1）相連的表面設(shè)有導電振膜，振膜硅基（9）內(nèi)設(shè)有貫通振膜硅基（9）的深坑（14），所述深坑（14）位于聲孔（18）的正上方，且深坑（14）與聲孔（18）對應分布；振膜硅基（9）對應于設(shè)置振膜的表面鍵合安裝于金屬鍵合層（7）上，導電振膜通過金屬鍵合層（7）與CMOS電路（2）電連接，導電振膜與下電極（6）間隙配合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述聲孔（18）的孔徑為50~100μm；所述背極板硅基（1）的厚度為300~500μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述電絕緣層包括位于背極板硅基（1）表面的第一絕緣介質(zhì)層（3）及位于所述第一絕緣介質(zhì)層（3）上的第二絕緣介質(zhì)層（4）；所述第一絕緣層（3）為氮化硅層，第二絕緣介質(zhì)層（4）為二氧化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：?所述CMOS電路（2）的連接端包括輸入端（19）及輸出端（20），所述輸入端（19）鄰近振膜硅基（9）；輸入端（19）及輸出端（20）通過電絕緣層隔離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述導電振膜包括生長于振膜硅基（9）上的絕緣支撐膜（11）及淀積于所述絕緣支撐膜（11）上的振膜體薄膜（12），且所述振膜體薄膜（12）通過高溫退火去除殘余應力。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述振膜體薄膜（12）的材料為導電多晶硅或單晶硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的與CMOS電路縱向集成的MEMS硅麥克風，其特征是：所述振膜體薄膜（12）的厚度為0.7~1.2μm。
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