[實(shí)用新型]一種反應(yīng)濺射真空腔室系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120321954.4
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN202246839U
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 歐陽俊;王現(xiàn)洋
• 申請（專利權(quán)）人: 歐陽俊
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 王立曉

1.一種反應(yīng)濺射真空腔室系統(tǒng)，包括腔室體、靶材、基片，其特征是，在靶材下面的腔室體一側(cè)靠近靶材的部分設(shè)有濺射氣體噴射管作為第一氣路，在基片周圍高于基片的位置設(shè)有反應(yīng)氣體噴射管作為第二氣路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)濺射真空腔室系統(tǒng)，其特征是，所述的反應(yīng)氣體噴射管的上方設(shè)有阻隔柵格板。