[實用新型]InAlN/GaN 異質結有源區的埋層結構

有效

• 申請號: 201120317811.6
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN202221763U
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 邢東;馮志紅;房玉龍;劉波;張雄文;敦少博;蔡樹軍
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

1.一種InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，包括半導體層（1）、In_xAlN/GaN異質結（4）和半絕緣襯底（5），其特征在于還包括緩沖層（2）、刻蝕終止層（3）；所述In_xAlN?/GaN異質結（4）中x的取值為0～1；所述半絕緣襯底（5）、In_xAlN/GaN異質結（4）、刻蝕終止層（3）、緩沖層（2）和半導體層（1）的厚度大于0?，由下至上依次排列。

2.根據權利要求1所述的InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，其特征在于所述半絕緣襯底（5）、In_xAlN/GaN異質結（4）、刻蝕終止層（3）、緩沖層（2）和半導體層（1）的摻雜情況為ID或UID。

3.根據權利要求1所述的InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，其特征在于所述半導體層（1）為單層或多層結構。

4.根據權利要求1所述的InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，其特征在于所述In_xAlN?/GaN異質結（4）中0＜x＜1。

5.根據權利要求1所述的InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，其特征在于所述刻蝕終止層（3）的材料為In_xGaN或InAlGaN或Al_xGaN，?0≤X＜1。

6.根據權利要求1所述的InAlN/GaN?異質結有源區的埋層結構，其特征在于所述緩沖層（2）的材料為In_xAlN，0＜x＜1。