[實(shí)用新型]高能量0.8mmX射線異物檢測(cè)設(shè)備的控制電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120304848.5 | 申請(qǐng)日： | 2011-08-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202189258U | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫軼;姜鑫東;吳家榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海高晶影像科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G05B19/05 | 分類號(hào)： | G05B19/05 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 200083 上海市楊浦區(qū)翔*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高能量 0.8 mmx 射線 異物 檢測(cè) 設(shè)備 控制電路 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高能量0.8mmX射線異物檢測(cè)設(shè)備的控制電路，其特征在于包括：
高主頻控制器；
與所述高主頻控制器連接的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列、100M以太網(wǎng)控制芯片及第一設(shè)備；
與所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列連接的串口通訊芯片及第二設(shè)備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能量0.8mmX射線異物檢測(cè)設(shè)備的控制電路，其特征在于：所述第一設(shè)備包括：SDRAM及FLASH。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高能量0.8mmX射線異物檢測(cè)設(shè)備的控制電路，其特征在于：所述第二設(shè)備包括：高速A/D轉(zhuǎn)換器、放大器、繼電器、時(shí)鐘電路及報(bào)警電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的高能量0.8mmX射線異物檢測(cè)設(shè)備的控制電路，其特征在于：所述高主頻控制器包括ARM9控制器或者高主頻DSP。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海高晶影像科技有限公司，未經(jīng)上海高晶影像科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120304848.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種銅系凈化劑及其制備方法
- 下一篇：一種合頁(yè)對(duì)位曝光裝置
