[實用新型]一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120299664.4 | 申請日: | 2011-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN202235367U | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 左真濤;薛蓉;李艷霞;李志光;燕新強(qiáng);卓彥 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院生物物理研究所 |
| 主分類號: | A61B5/055 | 分類號: | A61B5/055;G01R33/36 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐寧;關(guān)暢 |
| 地址: | 100101*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 超高 通道 發(fā)射 接收 線圈 | ||
1.一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:它包括一兩端通透的線圈本體,所述線圈本體包括兩個平行間隔設(shè)置呈Ω型的支撐體,其中一所述支撐體的頂部設(shè)置有一放置外部反射鏡的凸臺,兩個所述支撐體之間設(shè)置一由偶數(shù)塊有機(jī)玻璃板拼成而成的外殼,每一所述有機(jī)玻璃板上設(shè)置有一相控陣表面回路,每一相鄰的兩個所述相控陣表面回路之間分別加入一個以上的去耦電容,對應(yīng)被測試者眼部位置在所述外殼的頂部對稱設(shè)置有兩個視窗。
2.如權(quán)利要求1所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:每一個所述相控陣表面回路包括若干個固定電容和可調(diào)電容,在各相鄰的所述電容之間分別設(shè)置有一電感,構(gòu)成一串聯(lián)諧振回路,在所述串聯(lián)諧振回路中的一可調(diào)電容的一端通過另外一可調(diào)電容連接一并行發(fā)射接收射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開關(guān)。
3.如權(quán)利要求2所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述固定電容采用無磁耐高壓固定電容,所述可調(diào)電容采用無磁耐高壓可調(diào)電容,所述電感由印制電路板覆銅構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述外殼頂部的兩個相鄰相控陣表面回路分別是在所述兩個視窗的邊框與有機(jī)玻璃板之間布線,其它的所述相控陣表面回路的布線位置都與此相同。
5.如權(quán)利要求1或2或3所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述外殼的形狀為類橢圓形,所述外殼左右之間的距離為22~24cm,上下之間的距離為24~26cm。
6.如權(quán)利要求4所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述外殼的形狀為類橢圓形,所述外殼左右之間的距離為22~24cm,上下之間的距離為24~26cm。
7.如權(quán)利要求1或2或3或6所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述并行發(fā)射接收射頻接口電路中設(shè)置有線性相移器。
8.如權(quán)利要求4所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述并行發(fā)射接收射頻接口電路中設(shè)置有線性相移器。
9.如權(quán)利要求5所述的一種用于高場和超高場的多通道發(fā)射接收頭線圈,其特征在于:所述并行發(fā)射接收射頻接口電路中設(shè)置有線性相移器。
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