[實用新型]一種硅片轉載器有效
| 申請號: | 201120298901.5 | 申請日: | 2011-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN202183407U | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 左云翔 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿波羅光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/677 |
| 代理公司: | 張家港市高松專利事務所(普通合伙) 32209 | 代理人: | 孫高 |
| 地址: | 215600 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 轉載 | ||
1.一種硅片轉載器,其特征在于:所述硅片轉載器包括:底壁、安裝于底壁兩端的端壁及安裝于底壁兩側的側壁,上述五壁圍繞形成收容硅片的收容空間,所述底壁向外凸設有數個第一凸部,所述端壁與側壁的下方設有與上述第一凸部相卡扣的數個第一凹槽,所述端壁的兩端向外凸設有數個第二凸部,所述側壁的兩端設有與第二凸部相卡扣的數個第二凹槽,所述端壁的中央設有軸桿,所述側壁設有操作槽。
2.如權利要求1所述的一種硅片轉載器,其特征在于:所述第一、第二凸部呈等腰梯形設置。
3.如權利要求2所述的一種硅片轉載器,其特征在于:?所述操作槽呈橢圓形設置。
4.如權利要求1或2或3所述的一種硅片轉載器,其特征在于:所述硅片轉載器由聚四氟乙烯制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





