[實用新型]晶舟和爐管

有效

• 申請號: 201120294196.1
• 申請日: 2011-08-12
• 公開（公告）號: CN202142511U
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 沈建飛;任瑞龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及一種晶舟和爐管。

背景技術

在半導體制造工藝中，為了設置分立器件和集成電路，需要在晶圓的襯底上沉積不同種類的薄膜。而在各種沉積薄膜的方法中，低壓化學氣相沉積(LPCVD，Low?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition)是一種常用的方法，已經被廣泛應用到各種薄膜的沉積工藝中。

在LPCVD工藝中，當前采用的主流設備是垂直爐管。請參閱圖1～圖3，其中，圖1所示是現有的爐管的結構示意圖，圖2所示為現有的晶舟的結構示意圖，圖3所示是現有的晶舟支撐架的結構示意圖。由圖1～圖3可見，現有的爐管具有一腔室100，所述腔室100內設有晶舟110和晶舟支撐架120，所述晶舟110用于放置晶圓，所述晶舟110安裝于所述晶舟支撐架120上。所述晶舟110包括頂板111、底板112以及連接于所述頂板111和底板112之間的若干支柱113。所述晶舟支撐架120包括底座121和圓形連接支架122，所述圓形連接支架122固定于所述底座121上。由于圓形連接支架122需要對晶舟110起到一定的支撐作用，因此，圓形連接支架122一般采用強度較高的金屬材質。

但是，在實際的使用和維護過程中發現，用于固定晶舟110的圓形連接支架122上面尤其是側面會淀積一層薄膜(例如是多晶硅薄膜)。且由于金屬材質的圓形連接支架122的熱膨脹系數比較小，因此，淀積在圓形連接支架122上的薄膜非常疏松，很容易被氮氣(N₂)氣流帶起而造成爐管底部的顆粒物質超標，而這些超標的顆粒物質容易吸附到晶圓上，造成產品良率下降。

因此，如何提供一種可以防止顆粒物質產生的晶舟和爐管是本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種晶舟和爐管，通過晶舟的底板下方設置環形罩，可以遮蓋晶舟支撐架上容易淀積多晶硅薄膜的部分即圓形連接支架，有效避免制程氣體淀積到圓形連接支架上形成薄膜，避免顆粒物質產生。

為了達到上述的目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種晶舟，安裝于晶舟支撐架上，所述晶舟包括頂板、底板以及連接于所述頂板和底板之間的若干支柱，所述底板的下方設有環形罩。

優選地，在上述的晶舟中，所述環形罩連接于所述底板的周緣處。

優選地，在上述的晶舟中，所述晶舟支撐架包括底座和圓形連接支架，所述圓形連接支架固定于所述底座上，所述環形罩的內徑大于所述圓形連接支架的外徑。

本實用新型還公開了一種爐管，包括晶舟支撐架和晶舟，所述晶舟安裝在所述晶舟支撐架上，所述晶舟包括頂板、底板以及連接于所述頂板和底板之間的若干支柱，所述底板的下方設有環形罩。

優選地，在上述的爐管中，所述環形罩連接于所述底板的周緣處。

優選地，在上述的爐管中，所述晶舟支撐架包括底座和圓形連接支架，所述圓形連接支架固定于所述底座上，所述環形罩的內徑大于所述圓形連接支架的外徑。

優選地，在上述的爐管中，所述圓形連接支架是金屬材質的連接支架。

優選地，在上述的爐管中，還包括蓋板和若干螺栓組件，所述晶舟通過所述蓋板和所述若干螺栓組件安裝于所述晶舟支撐架上，所述蓋板和所述圓形連接支架對應開設有若干與所述若干螺栓組件對應的螺孔。

優選地，在上述的爐管中，所述蓋板是碳化硅材質的蓋板。

優選地，在上述的爐管中，還包括晶舟升降機構，所述晶舟升降機構設置于所述晶舟支撐架下方。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型提供一種晶舟和爐管，通過晶舟的底板下方設置環形罩，該環形罩可以遮蓋住晶舟支撐架上容易淀積薄膜(例如是多晶硅薄膜)的部分即可以遮蓋住所述圓形連接支架的側面，有效避免制程氣體淀積到金屬材質的圓形連接支架上形成疏松的薄膜，從而有效避免顆粒物質產生，確保了晶圓的良率。

另外，通過將連接用的蓋板由原來的金屬材質改成碳化硅(SiC)材質，由于SiC材質的蓋板的熱膨脹系數較大，因此，淀積在SiC材質的蓋板上的薄膜比較致密，不容易被氮氣(N₂)氣流帶起，不會造成爐管腔室內顆粒物質超標，從而進一步確保晶圓的良率。

附圖說明

本實用新型的晶舟和爐管由以下的實施例及附圖給出。

圖1所示是現有的爐管的結構示意圖；

圖2所示為現有的晶舟的結構示意圖；

圖3所示是現有的晶舟支撐架的結構示意圖；