[實用新型]一種薄型大功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201120288268.1
• 申請日: 2011-08-10
• 公開（公告）號: CN202205734U
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 陳斌
• 申請（專利權）人: 嘉興斯達微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L25/07;H01L25/11
• 代理公司: 嘉興君度知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 沈志良

1.一種薄型大功率半導體模塊，包括設有注塑框的下殼體，注塑框的插槽內插有金屬插針端子，在下殼體內設有絕緣金屬基板和功率半導體芯片，下殼體的背面設有導熱底板，其特征在于金屬插針端子包括信號金屬插針端子和功率金屬插針端子；信號金屬插針端子為針式結構，插于注塑外框的長邊插槽內，功率金屬插針端子為“乙”型結構，插于注塑框的短邊插槽內，功率金屬插針端子上設有連接孔；在下殼體內設有溫度傳感器。

2.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于下殼體上的長邊插槽包括二條邊槽，二條隔槽，隔槽設于二條邊槽之間。

3.根據權利要求1或2所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于該薄型大功率半導體模塊包括三個獨立的半橋電路結構，這三個獨立的半橋電路結構之間被隔槽隔開；短邊插槽內插有十二個功率金屬插針端子。

4.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于下殼體的角上設有金屬卡環；所述下殼體通過密封膠、金屬卡環與導熱底板結合。

5.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于所述導熱底板和絕緣金屬基板通過釬焊結合；所述功率半導體芯片和絕緣金屬基板通過釬焊結合；所述溫度傳感器和絕緣金屬基板通過釬焊結合。

6.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于所述絕緣金屬基板、功率半導體芯片、溫度傳感器及金屬插針端子間通過鋁線鍵合。

7.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于金屬插針端子用高導電率材料制作。

8.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于短邊插槽中嵌入金屬螺母。

9.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于導熱底板的背面，即導熱底板非焊接面凸起成平面光滑的球面結構，球面的平整在0.08mm以內；導熱底板采用高導熱率、低膨脹系數材料做成，包括銅、鋁碳化硅材料。

10.根據權利要求1所述的薄型大功率半導體模塊，其特征在于該薄型大功率半導體模塊也可以只有一個半橋電路結構，短邊插槽內插有四個功率端子。