[實用新型]PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201120280284.6
• 申請日: 2011-08-03
• 公開（公告）號: CN202177768U
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 姚曉慧;徐哲豪;薛景峰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/139
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術領域】

本實用新型涉及液晶顯示領域，特別是涉及一種可提高像素的穿透率和顯示質量的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置。?

【背景技術】

PVA(Patterned?Vertical?Alignment，圖像垂直調整技術)作為液晶VA(Vertical?Alignment，垂直調整技術)顯示中的一種模式，其利用TFT(Thin?film?transistor，薄膜場效應管)和CF(彩色濾光片，color?filter))側的圖案形成的電場來控制液晶的指向，可以省去PI(polyimide)層的摩擦取向工藝。?

傳統上采用的“》”型或“《”型的PVA像素結構，如圖1A和圖1B所示，由于“》”型或“《”型PVA像素電極的邊緣與內部結構的差異，導致PVA像素邊緣電場分布異于內部，在液晶上產生邊緣場效應，使得TFT和CF側的“》”型或“《”型邊緣的交接處產生旋轉位移(disclination)，影響像素的顯示質量和降低像素的開口率，如圖5A所示，圖中做了標記的地方由于邊緣場效應，液晶產生了旋轉位移，使得像素出現暗紋，穿透率降低，影響像素的顯示質量。?

故，有必要提供一種PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置，?以解決現有技術所存在的問題。?

【實用新型內容】

本實用新型針對現有技術的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置的PVA像素在液晶上產生邊緣場效應影響像素的顯示質量和降低像素的開口率的缺陷，提供一種通過修改TFT側或CF側的邊緣交界處的ITO(Indium-Tin?Oxide，氧化銦錫)間隙消除邊緣場效應以達到提高像素的穿透率和顯示質量的效果的PVA像素電極及相應的液晶顯示裝置。?

本實用新型的主要目的在于提供一種PVA像素電極，一種PVA像素電極，包括：?

位于TFT側的“》”型或“《”型的第一電極；以及?

位于CF側的與所述第一電極相應的“》”型或“《”型的第二電極，其特征在于，在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極設置有提高像素顯示質量的不等長的ITO間隙。?

在本實用新型的一實施例中，所述第一電極設置的相鄰ITO間隙端的長度差為1um至10um。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第一電極為“》”型電極時，所述第一電極設置的ITO間隙位于所述第一電極的右上方、右下方以及左部中間。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第一電極為“《”型電極時，所述第一電極設置的ITO間隙位于所述第一電極的左上?方、左下方以及右部中間。?

本實用新型還提供了另一種PVA像素電極，包括：?

位于TFT側的“》”型或“《”型的第一電極；以及?

位于CF側的與所述第一電極相應的“》”型或“《”型的第二電極，其特征在于，在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第二電極設置有提高像素顯示質量的不等長的ITO間隙。?

在本實用新型的一實施例中，所述第二電極設置的相鄰ITO間隙端的長度差為1um至15um。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第二電極為“》”型電極時，所述第二電極設置的ITO間隙位于所述第二電極的右上方、右下方以及左部中間。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第二電極為“《”型電極時，所述第二電極設置的ITO間隙位于所述第二電極的左上方、左下方以及右部中間。?

本實用新型還提供了另一種PVA像素電極，包括：?

位于TFT側的“》”型或“《”型的第一電極；以及?

位于CF側的與所述第一電極相應的“》”型或“《”型的第二電極，其特征在于，在所述第一電極和所述第二電極的邊緣交界處對所述第一電極和所述第二電極設置有提高像素顯示質量的不等長的ITO間隙。?

在本實用新型的一實施例中，所述第一電極設置的相鄰ITO間隙端的長度差為1um至10um；所述第二電極設置的相鄰ITO?間隙端的長度差為1um至15um。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第一電極和所述第二電極均為“》”型電極時，所述第一電極和所述第二電極設置的ITO間隙均位于電極的右上方、右下方以及左部中間。?

在本實用新型的一實施例中，當所述第一電極和所述第二電極均為“《”型電極時，所述第一電極和所述第二電極設置的ITO間隙均位于電極的左上方、左下方以及右部中間。?