[實用新型]單晶坩堝專用烘箱

有效

• 申請號: 201120280239.0
• 申請日: 2011-08-03
• 公開（公告）號: CN202188740U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 程思義
• 申請（專利權）人: 無錫龍奕科技有限公司
• 主分類號: F26B25/06
• 分類號: F26B25/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊小雙

技術領域

本實用新型涉及一種單晶坩堝輔助生產設備，尤其涉及一種單晶坩堝專用烘箱。

背景技術

目前，在單晶石英坩堝的生產過程中，坩堝噴涂后的烘烤固化是個重要的環節，單晶石英坩堝的烘烤固化的基本要求是潔凈環境，避免二次污染，特別是避免金屬離子的污染，同時對加熱要求整體均勻加熱，溫度達到280℃左右，傳統的普通加熱烘箱大多采用直接加熱，存在容易造成二次污染以及整體加熱不均勻的缺點。

實用新型內容

針對上述問題，本實用新型的目的在于提供一種單晶坩堝專用烘箱，其具有加熱均勻以及避免二次污染的特點。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現：

一種單晶坩堝專用烘箱，其包括箱體和鉸接于箱體上的密封門，其中，所述箱體的底部設置有耐高溫支撐架，且所述箱體除頂部內壁外的其他內壁上均勻設置有若干個紅外線加熱單元，所述密封門的內壁上也設置有若干個紅外線加熱單元，所述紅外線加熱單元和電控箱電性連接。

特別地，所述紅外線加熱單元設置為24個。

特別地，所述紅外線加熱單元包括陶瓷紅外加熱器，配合陶瓷紅外加熱器于箱體內壁上設置有反熱不銹鋼片。

特別地，所述密封門與箱體的相接處設置有耐高溫密封圈。

本實用新型的有益效果為，所述單晶坩堝專用烘箱于箱體內設置紅外線加熱單元，利用紅外線進行加熱，同時采用圍繞坩堝結構的立體加熱，與傳統的直接加熱相比，有效地避免了烘烤過程中的二次污染，而且加熱均勻，烘烤后坩堝的質量可靠。

附圖說明

下面根據附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。

圖1為本實用新型單晶坩堝專用烘箱的結構示意圖。

圖中：

1、箱體；2、密封門；3、耐高溫支撐架；4、坩堝；5、紅外線加熱單元；50、陶瓷紅外加熱器；51、反熱不銹鋼片；6、鉸鏈；7、密封圈。

具體實施方式

請參照圖1所示，圖1為本實用新型單晶坩堝專用烘箱的結構示意圖。于本實施例中，所述單晶坩堝專用烘箱包括箱體1，所述箱體1上通過鉸鏈6鉸接有密封門2，所述密封門2的內壁上與箱體1的相接處設置有耐高溫密封圈7，且所述箱體1的底部設置有用于放置坩堝4的耐高溫支撐架3，所述耐高溫支撐架3由耐高溫四氟材料制成，所述箱體1除頂部內壁外的其他內壁上均勻設置有18個紅外線加熱單元5，所述密封門2的內壁上也設置有6個紅外線加熱單元5，所述紅外線加熱單元5包括陶瓷紅外加熱器50，配合陶瓷紅外加熱器50于箱體1內壁上設置有反熱不銹鋼片51，所述陶瓷紅外加熱器50與電控箱電性連接。

所述單晶坩堝專用烘箱在工作時，先將坩堝放置于耐高溫支撐架3上，然后開啟加熱電源，陶瓷紅外加熱器50開始加熱，控制溫度達到280℃持續5分鐘后即可。

上述單晶坩堝專用烘箱于箱體1內設置紅外線加熱單元5，利用紅外線進行加熱，采用非直接接觸式加熱，有效地避免了烘烤過程中的二次污染；同時采用圍繞坩堝4結構的立體加熱，使加熱均勻，烘烤后坩堝的質量可靠。