[實(shí)用新型]一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120277555.2
• 申請(qǐng)日: 2011-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN202189906U
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大洋電機(jī)新動(dòng)力科技有限公司
• 主分類號(hào): H01R11/00
• 分類號(hào): H01R11/00;H01R11/09;H01G2/02
• 代理公司: 中山市漢通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44255
• 代理人: 古冠開

1.一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，包括IGBT模塊(1)、銅排(2)和吸收電容(3)，IGBT模塊(1)安裝在銅排(2)的一面并與銅排(2)電連接，吸收電容(3)安裝在銅排(2)的另一面，其特征在于：銅排(2)與吸收電容(3)之間增設(shè)若干連接柱(4)，連接柱(4)一端與銅排(2)電連接，另一端凸出銅排(2)端面并與吸收電容(3)引腳端子(31)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的銅排(2)包括頂層絕緣(21)、上層銅排(22)、夾層絕緣層(23)、下層銅排(24)和底層絕緣(25)，頂層絕緣(21)安裝在上層銅排(22)端面，底層絕緣(25)安裝在下層銅排(24)底面，夾層絕緣層(23)安裝在上層銅排(22)和下層銅排(24)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：在頂層絕緣(21)上安裝有電容墊板(5)，電容墊板(5)上凸出若干凸臺(tái)(51)，吸收電容(3)的本體(32)安裝在凸臺(tái)(5)上，吸收電容(3)引腳端子(31)與凸出電容墊板(5)端面的連接柱(4)電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：若干連接柱(4)是2個(gè)，一個(gè)安裝在上層銅排(22)上，另一個(gè)安裝在下層銅排(24)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：連接柱(4)是銅柱。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種IGBT吸收電容安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：頂層絕緣(21)、上層銅排(22)、夾層絕緣層(23)、下層銅排(24)和底層絕緣(25)是用膠水粘接成整體。