[實用新型]用于多晶硅鑄錠爐的改進結構的熱交換臺有效
| 申請號: | 201120276774.9 | 申請日: | 2011-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN202247004U | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | 傅林堅;石剛;葉欣;曹建偉;邱敏秀 | 申請(專利權)人: | 上虞晶信機電科技有限公司;浙江晶盛機電股份有限公司 |
| 主分類號: | C30B28/06 | 分類號: | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司: | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人: | 金祺 |
| 地址: | 312300 浙江省紹興*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 多晶 鑄錠 改進 結構 交換臺 | ||
1.用于多晶硅鑄錠爐的改進結構的熱交換臺,該熱交換臺用來放置多晶硅鑄錠爐坩堝并實現熱交換,其特征在于,該熱交換臺上設有氣體入口和氣體出口,熱交換臺的內部設置冷卻氣通道,并與前述氣體入口和氣體出口相連。
2.根據權利要求1所述的熱交換臺,其特征在于,所述熱交換臺具有緊密貼合的中間塊與兩個側端蓋;其中,中間塊具備若干水平貫穿的冷卻氣通道,中間塊與每個側端蓋之間設有連接冷卻氣通道端頭的通道;所述氣體入口或氣體出口設于側端蓋上,并與前述連接冷卻氣通道端頭的通道相通。
3.根據權利要求1所述的熱交換臺,其特征在于,所述熱交換臺向下具有至少兩層結構,所述冷卻氣通道以下述任意一種方式實現:
(1)最上層的底部和第二層的頂部均蝕刻有凹槽,該兩層結構拼接使凹槽合并成為所述的冷卻氣通道;
(2)最上層的底部蝕刻有凹槽,第二層的頂部為一平面,該兩層結構拼接使凹槽成為所述的冷卻氣通道;
(3)最上層的底部為一平面,第二層的頂部蝕刻有凹槽,該兩層結構拼接使凹槽合并成為所述的冷卻氣通道。
4.根據權利要求3所述的熱交換臺,其特征在于,所述冷卻氣通道在與氣體入口相接的前段部分是一個用于氣體緩沖的空腔體。
5.根據權利要求3所述的熱交換臺,其特征在于,所述熱交換臺向下具有至少三層結構,其中:
(1)第n層與第(n+1)層之間設緩沖腔,該緩沖腔是一個空腔體,通過下述任意一種方式實現:
A、第n層的底部和第(n+1)層的頂部均蝕刻有凹槽,該兩層拼接使凹槽合并成為所述的緩沖腔;
B、第n層的底部蝕刻有凹槽,第(n+1)層的頂部為一平面,該兩層拼接使凹槽成為所述的緩沖腔;
C、第n層的底部為一平面,第(n+1)層的頂部蝕刻有凹槽,該兩層拼接后凹槽合并成為所述的緩沖腔;
(2)第n層上蝕刻有若干豎向貫穿的通孔作為通氣小管,通氣小管的上端連通冷卻氣通道、下端連通緩沖腔;
(3)所述通氣小管和緩沖腔緩作為冷卻氣通道的前段部分的變形,并由緩沖腔與氣體入口相接;
所述第n層,是除最上層和最下層之外的任意一層。?
6.根據權利要求3至5任意一項中所述的熱交換臺,其特征在于,所述冷卻氣通道具備下述結構中的任意一種:
(1)冷卻氣通道呈“S”或“回”字形返折布置;
(2)冷卻氣通道包括進氣主管、若干換熱小管和回氣主管;進氣主管和回氣主管對向布置,兩者之間通過換熱小管相連;
(3)冷卻氣通道包括若干換熱小管,各換熱小管的兩端分別與冷卻氣入口和冷卻氣出口相連;
(4)冷卻氣通道包括:進氣主管和與其相連的若干進氣支管、回氣主管和與其相連的若干回氣支管,進氣支管與回氣支管相間布置,相鄰的進氣支管與回氣支管之間通過若干換熱小管相連。
7.根據權利要求6所述的熱交換臺,其特征在于,所述通氣小管的上端連通至進氣主管或進氣支管,其連接點均布于進氣主管或進氣支管上。
8.根據權利要求6所述的熱交換臺,其特征在于,所述通氣小管由所述進氣支管分隔構成孔陣列結構。
9.根據權利要求6所述的熱交換臺,其特征在于,所述冷卻氣通道最外層邊緣所圍成區域的大小和形狀與坩堝的底部相適應。
10.根據權利要求6所述的熱交換臺,其特征在于,所述熱交換臺是石墨材質的熱交換臺。?
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