[實用新型]陣列基板和液晶顯示面板有效
| 申請號: | 201120275768.1 | 申請日: | 2011-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN202159215U | 公開(公告)日: | 2012-03-07 |
| 發明(設計)人: | 馬新利;李巖;王強濤;李文兵 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 液晶顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示技術,特別涉及一種陣列基板和液晶顯示面板。
背景技術
高級超維場開關技術(Advanced-Super?Dimensional?Switching;簡稱:AD-SDS)通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場,使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換,從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關技術可以提高TFT-LCD畫面品質,具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應時間、無擠壓水波紋(push?Mura)波紋等優點。
AD-SDS型陣列基板是上述液晶顯示面板的重要部件。圖1為現有技術中AD-SDS型陣列基板的結構示意圖,圖2為圖1中A-A向剖視圖,如圖1和圖2所示,該AD-SDS型陣列基板包括襯底基板11和位于襯底基板11上的柵線12和數據線13,柵線12和數據線13限定的像素區域內形成有第一電極14、第二電極15和薄膜晶體管16。其中,第一電極14位于襯底基板11之上,第一電極14上形成有柵極絕緣層17和鈍化層18,第二電極15位于第一電極14上方的鈍化層18之上,并且第二電極15為設置有通孔19的平面結構,第一電極14為一平面結構,通孔19的形狀為條狀。其中,第一電極14為公共電極時,第二電極15為像素電極;第一電極14為像素電極時,第二電極15為公共電極。
現有技術中,由于AD-SDS型陣列基板中第一電極為一平面結構,因此第二電極和第一電極的重疊面積較大,這導致了AD-SDS型陣列基板的存儲電容增加,從而增大了液晶顯示面板的充放電時間。
實用新型內容
本實用新型提供一種陣列基板和液晶顯示面板,用以減少液晶顯示面板的充放電時間。
為實現上述目的,本實用新型提供一種陣列基板,包括:襯底基板和位于所述襯底基板上的柵線和數據線,所述柵線和所述數據線限定的像素區域內形成有第一電極、薄膜晶體管和與所述第一電極形成多維電場的第二電極,所述第一電極上開設有結構孔。
進一步地,所述結構孔位于所述第二電極的下方。
進一步地,所述結構孔的寬度小于所述第二電極的寬度。
進一步地,所述第二電極和所述第一電極重疊部分的寬度包括0.2微米至2.0微米。
進一步地,所述結構孔的形狀為條狀。
進一步地,所述第二電極為設置有通孔的平面結構。
進一步地,該陣列基板還包括:形成于所述第二電極之上的保護層,所述第一電極位于所述保護層之上。
進一步地,所述保護層包括柵極絕緣層和/或鈍化層。
進一步地,所述第一電極為公共電極,所述第二電極為像素電極;或者所述第一電極為像素電極,所述第二電極為公共電極。
為實現上述目的,本實用新型還提供了一種液晶顯示面板,包括對盒設置的彩膜基板和上述陣列基板,所述彩膜基板和所述陣列基板之間填充有液晶層。
本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示面板的技術方案中,陣列基板包括襯底基板和位于襯底基板上的柵線和數據線,柵線和數據線限定的像素區域內形成有第一電極、薄膜晶體管和與第一電極形成多維電場的第二電極,第一電極上開設有結構孔。本實用新型中,通過在第一電極上開設結構孔,減小了第二電極和第一電極的重疊面積,降低了AD-SDS型陣列基板的存儲電容,從而減少了液晶顯示面板的充放電時間。
附圖說明
圖1為現有技術中AD-SDS型陣列基板的結構示意圖;
圖2為圖1中A-A向剖視圖;
圖3為本實用新型實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖;
圖4為圖3中B-B向剖視圖;
圖5為本實用新型實施例二提供的一種陣列基板的結構示意圖;
圖6為圖5中C-C向剖視圖。
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案,下面結合附圖對本實用新型提供的陣列基板和液晶顯示面板進行詳細描述。
圖3為本實用新型實施例一提供的一種陣列基板的結構示意圖,圖4為圖3中B-B向剖視圖,如圖3和圖4所示,該陣列基板包括:襯底基板11和位于襯底基板11上的柵線12和數據線13,柵線12和數據線13限定的像素區域內形成有第一電極14、薄膜晶體管16和與第一電極14形成多維電場的第二電極15,第一電極14上開設有結構孔20。
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