[實用新型]低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器有效
| 申請號： | 201120271648.4 | 申請日： | 2011-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN202167545U | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 陳宏冰;徐敏;曾科;陳忠志 | 申請（專利權）人： | 上海騰怡半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L43/04 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 鄧琪 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 噪聲 失調 電壓 霍爾 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，包括霍爾元件，其特征在于，所述霍爾元件為圓形，包括在N型晶圓上淀積形成的N型外延層以及在N型晶圓上形成的圓形高壓P阱隔離環。
2.根據權利要求1所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，所述隔離環包括在N型晶圓上形成的P型埋層、在P型埋層上擴散生成的高壓P阱和低壓P阱、以及在所述低壓P阱內的P+注入區。
3.根據權利要求2所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，還包括四組成圓周均布的擴散區。
4.根據權利要求3所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，所述擴散區包括在所述N型外延層上擴散生成的高壓N阱和低壓N阱，以及在所述低壓N阱內的N+注入區。
5.根據權利要求4所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，還包括在對應的所述P+注入區、N+注入區剝離氧化物形成接觸孔后淀積金屬引出的霍爾元件端子。
6.根據權利要求1所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，在所述隔離環外設有一圈在所述N型外延區域形成的接地的P+注入區。
7.根據權利要求1所述的低噪聲低失調電壓的霍爾傳感器，其特征在于，所述高壓P阱的掩模層比P型埋層的掩模層大0.05um。
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