[實用新型]一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120253329.0
• 申請日: 2011-07-11
• 公開（公告）號: CN202127036U
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉瑩
• 申請（專利權）人: 劉瑩
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，包括連續(xù)式真空室、氣路控制系統(tǒng)，電控系統(tǒng)、真空抽氣系統(tǒng)、激光系統(tǒng)等，其特征在于連續(xù)式真空室為三室，將進片、出片、摻雜三個工藝環(huán)節(jié)分離開來；位于所述激光摻雜室中的激光摻雜系統(tǒng)為兩套，激光輕摻雜系統(tǒng)用來在晶體硅表面制備超淺結，激光重摻雜系統(tǒng)對晶體硅片上的柵格位置進行重摻雜使超淺結變成選擇性發(fā)射極；

分段可獨立無級調速的傳動系統(tǒng)，適應各段工藝不同的傳送速度。

2.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于所述激光系統(tǒng)設于真空室正上方，可透過玻璃窗照射到基片上。

3.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于所述輕激光摻雜系統(tǒng)位于重激光摻雜系統(tǒng)前面。

4.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于，進片室中設有加熱裝置，可對基片進行預加熱。

5.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于激光摻雜真空室中設有加熱裝置，在工藝過程中可對基片進行本底預熱。

6.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于布氣室設于激光摻雜真空室的正下方，實現均勻分布摻雜氣體。

7.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于傳動系統(tǒng)與載片小車間設為磨擦式傳輸，保證傳送速度平穩(wěn)均勻。

8.如權利要求1所述的一種制備晶體硅太陽能電池選擇性發(fā)射極的設備，其特征在于所述進出片室與激光摻雜室之間，可以增設緩沖室，可以更好地保證激光摻雜室內的工藝氣氛。?