[實用新型]一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統

有效

• 申請號: 201120242599.1
• 申請日: 2011-07-13
• 公開（公告）號: CN202139324U
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 周建華
• 申請（專利權）人: 西安華晶電子技術股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 西安創知專利事務所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統，其特征在于：包括布設在單晶爐主爐室內的主保溫筒(1)、位于主保溫筒(1)內側中部的石英坩堝(2)、套裝在石英坩堝(2)外側的石墨坩堝(29)、安裝在石墨坩堝(29)底部的鍋托(3)、安裝在鍋托(3)正下方的托桿(4)、布設在石墨坩堝(29)下方的加熱器(5)、與加熱器(5)進行電連接的石墨電極(6)和布設在石英坩堝(2)正上方且口徑由上至下逐漸縮小的導流筒，所述導流筒包括外導流筒(7)和套裝在外導流筒(7)內的內導流筒(8)，所述主保溫筒(1)的上部設置有上保溫筒(9)且其下部設置有下保溫筒(10)；所述石墨電極(6)布設在下保溫筒(10)內，所述外導流筒(7)和內導流筒(8)均布設在上保溫筒(9)內，下保溫筒(10)為側壁密封的保溫筒，且所述上保溫筒(9)的側壁上開有上排氣孔(11)。

2.按照權利要求1所述的一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統，其特征在于：所述內導流筒(8)的內腔、石英坩堝(2)的上部內腔、上保溫筒(9)的內腔和上排氣孔(11)組成一個對拉制單晶硅用氬氣進行排放的上排放通道。

3.按照權利要求1或2所述的一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統，其特征在于：所述上排氣孔(11)的數量為多個。

4.按照權利要求3所述的一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統，其特征在于：多個所述上排氣孔(11)呈均勻布設。

5.按照權利要求3所述的一種上排氣熱場式直拉硅單晶爐石墨熱場系統，其特征在于：多個所述上排氣孔(11)均布設在同一平面上，且所述上排氣孔(11)均布設在上保溫筒(9)的上部。