[實用新型]發射圓偏振光的LED芯片無效
| 申請號: | 201120238700.6 | 申請日: | 2011-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN202120976U | 公開(公告)日: | 2012-01-18 |
| 發明(設計)人: | 鄧朝勇;張榮芬;楊利忠;李緒誠;許鋮 | 申請(專利權)人: | 貴州大學 |
| 主分類號: | H01L33/02 | 分類號: | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務所 52100 | 代理人: | 李亮;程新敏 |
| 地址: | 550003 貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 偏振光 led 芯片 | ||
1.一種發射圓偏振光的LED芯片,包括襯底基片(1),其特征在于:在襯底基片(1)上設有緩沖層(2),在緩沖層(2)上設有非磁性或磁性的半導體底層(3),在半導體底層(3)上設有發光層(4),在發光層(4)上設有磁性半導體頂層(5),在磁性半導體頂層(5)上設有透明電極層(6);在半導體底層(3)及透明電極層(6)上分別連接有底層電極(7)及頂層電極(8);在外部設有露出底層電極(7)及頂層電極(8)頂面的鈍化保護層(9)。
2.根據權利要求1所述的發射圓偏振光的LED芯片,其特征在于:發光層(4)為發光層、量子阱、襯底圖形化陣列生長的發光層、量子點發光層、納米線發光層中的一種或幾種的復合結構。
3.根據權利要求1所述的發射圓偏振光的LED芯片,其特征在于:半導體底層(3)及磁性半導體頂層(5)為n型層或p型層,它們的層型相反。
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