[實(shí)用新型]多晶硅還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120232682.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN202164129U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)大洲;肖榮暉;毋克力;湯傳斌;汪紹芬;姚心
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/03
• 分類號(hào): C01B33/03
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種多晶硅還原爐，其特征在于，包括：

底盤和爐體，所述爐體連接在所述底盤上且在所述爐體與所述底盤之間限定出反應(yīng)腔室；

三十六對(duì)電極，所述三十六對(duì)電極設(shè)在所述底盤上且分別分布在第一、第二、第三和第四圓周，所述第一、第二、第三和第四圓周為以所述底盤中心為圓心且半徑依次增大的同心圓周；

進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤中部的多個(gè)噴嘴；和

排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口，所述排氣口設(shè)在所述底盤上且位于所述第四圓周與所述爐體之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，在所述第一、第二、第三和第四圓周上沿圓周方向依次均勻分布有三對(duì)、七對(duì)、十一對(duì)和十五對(duì)電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)噴嘴分別分布于所述底盤中心處和第五、第六和第七圓周上，所述第五、第六和第七圓周均以所述底盤中心為圓心且分別位于所述第一與第二圓周、第二與第三圓周以及第三與第四圓周之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)噴嘴的數(shù)量為十九個(gè)，其中在所述第五、第六和第七圓周上分別均勻分布有四個(gè)、六個(gè)和八個(gè)噴嘴。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括：

進(jìn)氣環(huán)管，所述進(jìn)氣環(huán)管位于所述底盤下方且與外部氣源相連通；

十九個(gè)進(jìn)氣管，所述十九個(gè)進(jìn)氣管分別與所述十九個(gè)噴嘴一一對(duì)應(yīng)且所述十九個(gè)噴嘴通過所述十九個(gè)進(jìn)氣管與所述進(jìn)氣環(huán)管相連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)排氣口的數(shù)量為六個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述底盤內(nèi)形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口和多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口，所述第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述底盤的中央，而所述多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口與所述多個(gè)排氣口一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)所述第一冷卻介質(zhì)出口連接有第一冷卻管且每個(gè)所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體內(nèi)設(shè)有第二冷卻腔且所述第二冷卻腔連接有第二冷卻介質(zhì)進(jìn)口和第二冷卻介質(zhì)出口，所述第二冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述爐體的底部且所述第二冷卻介質(zhì)出口位于所述爐體的頂部，所述第二冷卻腔內(nèi)設(shè)有多個(gè)隔流擋板，所述多個(gè)隔流擋板在所述第二冷卻腔內(nèi)由下至上繞所述反應(yīng)腔室呈螺旋狀分布。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體包括位于下部的筒體和設(shè)在所述筒體頂端的封頭，所述封頭為中空半球體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體上還設(shè)有多個(gè)觀察鏡，所述多個(gè)觀察鏡在所述筒體的高度方向上均勻分布成多排且所述多個(gè)觀察鏡沿所述筒體的周向均勻分布。