[實用新型]多晶硅還原爐電極棒分布結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120229699.0 | 申請日： | 2011-07-01 |
| 公開（公告）號： | CN202131105U | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭飛龍;程佳彪;許國文;茅陸榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海森松新能源設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海百一領(lǐng)御專利代理事務所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 馬育麟 |
| 地址： | 201323 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 還原 電極 分布 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
底盤，
所述底盤上設(shè)有進氣口、電極座，所述電極座上安裝有電極體，所述電極體上連接多晶硅棒，?
其特征在于：所述電極座在底盤上呈正多邊形分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電極座與其相鄰電極座的間距為200mm~400mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述多晶硅棒通過頂部橫梁連接，形成一對多晶硅棒，所述一對多晶硅棒之間的間距為200mm~400mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電極座與其相鄰電極座的間距為220~240mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐的電極棒分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述進氣口位于正多邊形的中心。
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