[實用新型]IGBT功率半橋模塊

有效

• 申請號: 201120227075.5
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號: CN202167483U
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 賀東曉;王曉寶;姚玉雙;周錦源
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/07;H01L23/043
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 賈海芬

1.一種IGBT功率半橋模塊，包括銅底板(9)、覆金屬陶瓷基板(10)、半導體芯片(12)以及主電極和殼體(2)，半導體芯片(12)連接在覆金屬陶瓷基板(10)上，主電極的一側與覆金屬陶瓷基板(10)連接、另一側穿出殼體(2)，覆金屬陶瓷基板(10)連接在銅底板(9)上，銅底板(9)固定在殼體(2)上，覆金屬陶瓷基板(10)、半導體芯片(12)和主電極用絕緣膠(8)絕緣密封在殼體(2)內，其特征在于：所述主電極由設置在殼體(2)內且截面呈槽形的彎折部分和引出部分構成，主電極彎折部分的槽形外槽側壁固定在覆金屬陶瓷基板(10)上、內槽側壁接近殼體(2)內壁，主電極中的第一輸入電極(5)的槽形底面與第二輸入電極(6)的槽形底面相對設置，殼體(2)內的隔板(2-1)設置第一輸入電極(5)和第二輸入電極(6)的槽形底面之間且下部設置在絕緣膠(8)內密封。

2.根據權利要求1所述的IGBT功率半橋模塊，其特征在于：所述殼體(2)的隔板(2-1)從上至下壁厚逐漸減小，且第一輸入電極(5)的槽形底面和第二輸入電極(6)槽形底面與隔板(2-1)上部相接。

3.根據權利要求1所述的IGBT功率半橋模塊，其特征在于：所述主電極兩側分別設有卡槽。