[實用新型]14MeV中子熱化裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120226769.7 | 申請日： | 2011-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN202126852U | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程道文;李鑫;韓冬;向鵬;韋韌;董小剛;孫正昊;蘭民 | 申請（專利權(quán)）人： | 長春工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G21K1/00 | 分類號： | G21K1/00;G21K1/06;G21K1/02;G21G4/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 14 mev 中子 熱化 裝置 | ||
1.一種14MeV中子熱化裝置，由D-T中子發(fā)生器(1)，快中子反射層(2)，快中子慢化層(3)，熱中子準直通道(4)，熱中子聚集層(5)，中子慢化層(6)以及中子反射層(7)構(gòu)成，其特征是：用快中子反射層(2)反射D-T中子發(fā)生器(1)發(fā)射的、遠離熱中子準直通道(4)出口的14MeV中子，用快中子慢化層(3)和中子慢化層(6)依次慢化14MeV中子，用中子反射層(7)反射遠離熱中子準直通道(4)出口的中子，用熱中子聚集層(5)使熱中子在中子準直通道(4)內(nèi)聚集、準直，提高出口處的熱中子通量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的14MeV中子熱化裝置，其特征是：快中子反射層(2)是一個與D-T中子發(fā)生器(1)同軸的圓柱體(去掉D-T中子發(fā)生器(1)所占的區(qū)域)，材料為鉛。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的14MeV中子熱化裝置，其特征是：快中子慢化層(3)是一個與D-T中子發(fā)生器(1)同軸的圓柱殼，材料為鉛，位于熱中子準直通道(4)外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的14MeV中子熱化裝置，其特征是：熱中子聚集層(5)是一個與D-T中子發(fā)生器(1)同軸的圓柱殼，材料為鎂，位于熱中子準直通道(4)和中子慢化層(6)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的14MeV中子熱化裝置，其特征是：中子反射層(7)是一個與D-T中子發(fā)生器(1)同軸的圓柱殼，材料為鉛，位于中子慢化層(6)外部。
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