[實用新型]陣列基板及液晶顯示器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120225411.2 | 申請日: | 2011-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN202183002U | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭建;閔泰燁;陳旭;謝振宇;張文余 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 液晶顯示 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及液晶顯示器件。?
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器件的液晶面板包括陣列基板和彩膜基板,在薄膜晶體管液晶顯示器件的制程中可以分別單獨制作陣列基板和彩膜基板,然后再將陣列基板和彩膜基板對盒并填充液晶,以形成液晶面板。其中,陣列基板上設(shè)有柵線,垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域,所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。?
基于上述陣列基板的結(jié)構(gòu),當陣列基板上的柵線控制薄膜晶體管打開后,由數(shù)據(jù)線向陣列基板上的像素電極充電,以在像素電極和公共電極之間形成電場,該電場作用于液晶使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn),從而根據(jù)液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度不同以透過不同強度的光。?
目前像素電極所在的層和數(shù)據(jù)線所在的層之間僅設(shè)有一層用于絕緣的鈍化層,該鈍化層通常由SiNx等材料制成,其介電常數(shù)較高,因此使得在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生較強的電容效應(yīng)。為減小該電容效應(yīng),一般都將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加遠離一些,但這樣使得像素電極所占用的區(qū)域減小,減小了像素開口率。?
實用新型內(nèi)容
本實用新型的實施例提供一種陣列基板及液晶顯示器件,以提高像素開口率。?
為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:?
一種陣列基板,包括基板,所述基板上設(shè)有柵線,垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域,所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接,所述?像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層。?
一種液晶顯示器件,包括殼體,所述殼體內(nèi)設(shè)有背光模組,面對所述背光模組設(shè)有由如上所述的陣列基板和彩膜基板對盒形成的液晶面板。?
本實用新型實施例提供的陣列基板及液晶顯示器件,在所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層,由于樹脂本身的介電常數(shù)較低,因此所述樹脂介電層可以有效減小像素電極和數(shù)據(jù)線之間的電容效應(yīng),這樣可以將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加接近一些,從而增大了像素電極所占用的區(qū)域,提高了像素開口率。?
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。?
圖1為本實用新型實施例陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖1a為圖1中A1-A1方向的截面圖;?
圖2為本實用新型陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖2a為圖2中A2-A2方向的截面圖;?
圖3為本實用新型陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖;?
圖4為本實用新型陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖4a為圖4中A4-A4方向的截面圖;?
圖4a′為圖4中A4-A4方向的另一截面圖;?
圖5為本實用新型陣列基板第四次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖5a為圖5中A5-A5方向的截面圖;?
圖6為本實用新型陣列基板第五次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖6a為圖6中A6-A6方向的截面圖;?
圖6a′為圖6中A6-A6方向的另一截面圖。?
附圖標記:?
1-基板,2-柵線,2′-綁定柵線,21′-柵線連接過孔,3-柵絕緣層,41-半導(dǎo)體層,42-摻雜半導(dǎo)體層,5-數(shù)據(jù)線,5′-綁定數(shù)據(jù)線,51′-數(shù)據(jù)線連接過孔,6-鈍化層,7-樹脂介電層,8-像素電極,9-像素電極絕緣層,10-公共電極,11-薄膜晶體管,11a-柵極、11b-源極、11c-漏極,12-介電-鈍化層過孔。?
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本實用新型實施例陣列基板及液晶顯示器件進行詳細描述。?
應(yīng)當明確,所描述的實施例僅僅是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。?
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





