[實用新型]適用于共晶封裝的半導體芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120220285.1 | 申請日： | 2011-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN202103037U | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王新潮;馮東明;葉新民;王文源;袁昌發(fā) | 申請（專利權(quán)）人： | 江陰新順微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L23/488;B32B15/04;B32B9/04 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214434 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 適用于 封裝 半導體 芯片 背面 金屬化 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.?一種適用于共晶封裝的半導體芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)，包括硅片背面襯底（4），其特征在于：在硅片背面襯底（4）的表面，形成有粘附層（3），在粘附層（3）的表面形成有阻擋層（2），在阻擋層（2）的表面形成有導電層（1）；所述粘附層（3）為非貴金屬鋁或鈦、鋁或鉻、鋁與硅進行合金形成的粘附層；所述阻擋層（2）為非貴金屬鈦、鎳、錫銅合金或者釩、鎳、錫銅合金或者鉻、鎳、錫銅合金依次形成的金屬復合層；所述導電層（1）為貴金屬金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于共晶封裝的半導體芯片背面金屬化結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述非貴金屬鋁或鈦、鋁或鉻、鋁總厚度為：0.5微米至5微米；所述阻擋層（2）各層金屬厚度分別為：鈦或鉻或釩：0.05微米至0.2微米；鎳：0.1微米至0.5微米；錫銅合金：1微米至4微米；所述金層的厚度為0.05-0.3微米。
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