[實用新型]CdCl2氣相升華后處理CdTe多晶薄膜用的石墨舟有效
| 申請號： | 201120218487.2 | 申請日： | 2011-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN202202020U | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 褚君浩;趙守仁;王善力;曹鴻;張傳軍;鄔云華;潘建亮 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能電池研究與發展中心 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200210 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cdcl sub 升華 處理 cdte 多晶 薄膜 石墨 | ||
【權利要求書】：
1.一種CdCl2氣相升華后處理CdTe多晶薄膜用的石墨舟，其特征在于：
該石墨舟包括：一矩形底座(3)，矩形底座外側面有一用于插入熱電偶的凹槽(4)，矩形底座上嵌套有與矩形底座同樣大小的叁個依次往上相互嵌套的矩形支撐圈(2)，在第一個相互嵌套的兩個矩形支撐圈之間留有的間隙用于放置石墨多孔限流薄片(5)，在第二個相互嵌套的兩個矩形支撐圈之間留有的間隙用于放置待退火的CdTe多晶薄膜片(6)，最上面的矩形支撐圈上蓋有頂蓋(1)；矩形底座和矩形支撐圈的內壁上部有一“L”形臺階(8)，矩形支撐圈的外壁下部有一倒“L”形臺階(9)用于矩形支撐圈的相互嵌套及矩形底座的嵌套。
2.根據權利要求1的一種CdCl2氣相升華后處理CdTe多晶薄膜用的石墨舟，其特征在于：所說的矩形底座(3)的內底面涂覆有CdCl2層，該CdCl2層命名為CdCl2源層(7)。
3.根據權利要求1的一種CdCl2氣相升華后處理CdTe多晶薄膜用的石墨舟，其特征在于：所說的相互嵌套的矩形支撐圈(2)和矩形底座(3)的高度要保持CdCl2源層(7)與多孔限流薄片(5)之間的距離為1～10mm，多孔限流薄片和待后處理的CdTe多晶薄膜片(6)之間的距離為1～10mm。
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