[實(shí)用新型]圖像傳感器的信號(hào)讀出電路及模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120217081.2
• 申請(qǐng)日: 2011-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202150896U
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙立新;李杰;喬勁軒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H04N5/378
• 分類號(hào): H04N5/378;H04N5/374
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種圖像傳感器的信號(hào)讀出電路，包括：

復(fù)位晶體管，包括兩個(gè)端部和一個(gè)柵極，所述兩個(gè)端部中的一個(gè)耦接于浮置擴(kuò)散點(diǎn)，另一個(gè)耦接于選通信號(hào)，所述柵極耦接于復(fù)位信號(hào)，其中，所述選通信號(hào)用于選通所述復(fù)位晶體管所在的像素，所述復(fù)位信號(hào)用于對(duì)所述浮置擴(kuò)散點(diǎn)復(fù)位，以及

復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊，用于將所述復(fù)位晶體管耦接于所述復(fù)位信號(hào)，所述復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊包括：

調(diào)整晶體管，包括兩個(gè)端部和一個(gè)柵極，所述兩個(gè)端部中的一個(gè)端部耦接于所述復(fù)位晶體管的所述柵極，所述調(diào)整晶體管的所述柵極耦接于電源，以及

切換模塊，配置為響應(yīng)于控制信號(hào)從而使得：

當(dāng)所述復(fù)位晶體管所在的像素被選通時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于電源，以及

當(dāng)所述像素的信號(hào)電荷被朝向所述浮置擴(kuò)散點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于所述復(fù)位信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)讀出電路，其特征在于，所述復(fù)位晶體管和所述調(diào)整晶體管包括NMOS。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號(hào)讀出電路，其特征在于，所述切換模塊包括PMOS以及第二NMOS，其中，所述PMOS和第二NMOS的一個(gè)端部分別耦接于所述調(diào)整晶體管的所述另一個(gè)端部，所述PMOS和第二NMOS的另一個(gè)端部分別耦接于電源和所述復(fù)位信號(hào)，述PMOS和第二NMOS的柵極分別耦接于所述控制信號(hào)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)讀出電路，其特征在于，所述切換模塊還包括第二PMOS，所述第二PMOS與所述第二NMOS并聯(lián)，所述第二PMOS的柵極耦接于與所述控制信號(hào)反相的信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)讀出電路，其特征在于，所述控制信號(hào)包括所述選通信號(hào)，并且當(dāng)所述選通信號(hào)位于有效電平時(shí)所述復(fù)位信號(hào)位于有效電平。

6.一種圖像傳感器，包括權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的信號(hào)讀出電路。

7.根據(jù)權(quán)利要求5述的圖像傳感器，其特征在于，所述圖像傳感器的位于同一行的各個(gè)像素共用所述復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊，并且所述調(diào)整晶體管的所述兩個(gè)端部中的一個(gè)端部分別耦接于所述同一行的各個(gè)像素的復(fù)位晶體管的柵極。

8.一種圖像傳感器的信號(hào)讀出模塊，包括：

復(fù)位晶體管，包括兩個(gè)端部和一個(gè)柵極，所述兩個(gè)端部中的一個(gè)端部耦接于浮置擴(kuò)散點(diǎn)，另一個(gè)端部耦接于復(fù)位電壓，以及

復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊，耦接于所述柵極，所述復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊配置為：在對(duì)所述浮置擴(kuò)散點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位的預(yù)定時(shí)間內(nèi)，給所述柵極提供較高的柵極電壓，使得所述柵極電壓與所述復(fù)位晶體管的閾值電壓的差值高于或者等于所述復(fù)位電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求8述的信號(hào)讀出模塊，其特征在于，所述復(fù)位電壓包括復(fù)位電壓脈沖，以及

所述復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊包括：

調(diào)整晶體管，包括兩個(gè)端部和一個(gè)柵極，所述兩個(gè)端部中的一個(gè)端部耦接于所述復(fù)位晶體管的所述柵極，所述調(diào)整晶體管的所述柵極耦接于電源，以及

切換模塊，配置為響應(yīng)于控制信號(hào)從而使得：

當(dāng)所述復(fù)位電壓脈沖起始時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于電源，以及

當(dāng)所述復(fù)位晶體管所在的像素的信號(hào)電荷被朝向所述浮置擴(kuò)散點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于所述復(fù)位信號(hào)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8述的信號(hào)讀出模塊，其特征在于，所述復(fù)位電壓包括選通信號(hào)，其中，所述選通信號(hào)用于選通所述復(fù)位晶體管所在的像素，以及

所述復(fù)位信號(hào)調(diào)整模塊包括：

調(diào)整晶體管，包括兩個(gè)端部和一個(gè)柵極，所述兩個(gè)端部中的一個(gè)端部耦接于所述復(fù)位晶體管的所述柵極，所述調(diào)整晶體管的所述柵極耦接于電源，以及

切換模塊，配置為響應(yīng)于控制信號(hào)從而使得：

當(dāng)所述復(fù)位晶體管所在的像素被選通時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于電源，以及

當(dāng)所述像素的信號(hào)電荷被朝向所述浮置擴(kuò)散點(diǎn)轉(zhuǎn)移時(shí)，所述調(diào)整晶體管的另一個(gè)端部已經(jīng)耦接于所述復(fù)位信號(hào)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10述的信號(hào)讀出模塊，其特征在于，所述控制信號(hào)包括所述選通信號(hào)。