[實用新型]一種鍍膜的鈍化太陽能電池

有效

• 申請號: 201120216087.8
• 申請日: 2011-06-23
• 公開（公告）號: CN202142539U
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 陳佰江
• 申請（專利權）人: 寧波百事德太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0392
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種太陽能電池，尤其是涉及一種鍍膜的鈍化太陽能電池。

背景技術

太陽能電池主要供家庭和工業上作為電源帶動負載或給蓄電池充電。由于硅片表面比較光滑，具有較高的放射率，為了提高光的利用率，現有市場中的太陽能電池一般在硅片的表面做出一種陷光結構——制絨，利用單晶硅的各向異性腐蝕在硅片的表面生成金字塔的結構，這種結構雖然可以減小硅片在光下的反射率，現有理想的陷光結構可以使電池的反射率在13％左右，但反射率仍然較高，從而導致光能的利用率較低。

本實用新型為了克服上述缺陷，進行了有益的改進。

實用新型內容

本實用新型的目的在于解決現有技術中的上述不足，提供了一種鍍膜的鈍化太陽能電池，該鈍化太陽能電池的反射率較低，有效地提高了太陽能的利用率。

為了實現上述目的，本實用新型采取以下技術方案：

一種鍍膜的鈍化太陽能電池，包括電池本體1、硅片3、正面電極4和背電極5，其特殊之處在于：所述的電池本體1兩面均鍍有一層氮化硅膜2；

優選地；所述的氮化硅膜2厚度約為75mm；

優選地；所述的正面電極4和背電極5各有兩條，且正面電極4和背電極5分別對應的分布在電池正面和背面。

本實用新型的有益效果：可進一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅減反射膜可以使反射率僅僅有4％左右，使光能的轉化效率進一步提高；可鈍化硅片中的懸掛鍵、位錯、晶界、點缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)等缺陷，減少少子的復合；提高載流子遷移率20％左右，延長少子的壽命，提高了電池的短路電流和開路電壓，從而達到提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。

附圖說明

本實用新型的一個實施例主視圖。

本實用新型的一個實施例俯視圖

附圖標記：1.電池本體；2.氮化硅膜；3.硅片；4.正面電極；5.背電極。

具體實施方式

下面結合附圖與實施例對本實用新型作進一步的說明。

本實用新型的實施例參考圖1、2所示，

一種雙面鍍膜鈍化電池，包括電池本體1，硅片3，正面電極4和背電極5，所述的電池本體1上兩面均鍍有一層氮化硅膜2，氮化硅膜2的作用是減少反射率，使光能的轉化效率進一步提高；所述的氮化硅膜2厚度約為75mm，這樣設計的好處是：可使折射率控制在大約2.0～2.1以內。

PECVD鍍膜的原理——在真空壓力下，利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。PECVD方法鍍膜的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。加在電極板上的射頻電場，使反應室氣體發生輝光放電，在輝光發電區域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和和電離的過程，生成活性很高的各種化學基團，它們吸附在襯底上，并發生化學反應生成介質膜，副產物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走。

雙面膜的工藝實現，將短線清洗去處磷硅玻璃后的電池片放在石墨裝載框上，放入設備開始工藝(此時的工藝參數包括氣體的配比流量、反應速度以及反應功率值等特殊設置)。將鍍膜后的電池片翻轉后重新放在石墨裝載框開始工藝。(此時的工藝參數包括氣體的配比流量、反應速度以及反應功率值等特殊設置)。且在整個工藝的過程中鍍一面膜時避免另一面受到干擾。對雙面鍍理想的SiN_x:H膜后的電池片進行印刷電極，高溫燒結后測試，發現雙面鍍膜的電池短路電流有較大的提高。

本實用新型的有益效果：可進一步降低硅片的反射率，理想的氮化硅減反射膜可以使反射率僅僅有4％左右，使光能的轉化效率進一步提高；可鈍化硅片中的懸掛鍵、位錯、晶界、點缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)等缺陷，減少少子的復合；提高載流子遷移率20％左右，延長少子(少數載流子)的壽命，提高了電池的短路電流和開路電壓，從而達到提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。

以上所述實施方式僅表達了本實用新型的一種實施方式，但并不能因此而理解為對本實用新型范圍的限制。應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。