[實用新型]一種有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構

有效

• 申請號: 201120214928.1
• 申請日: 2011-06-23
• 公開（公告）號: CN202134539U
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 顧學強;肖慧敏;陳力山
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;G06F17/50
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構，其特征在于，包括P型體區、N型漂移區、源區、漏區、體引出區以及柵極區，所述P型體區與N型漂移區相鄰，所述柵極區跨設于P型體區和N型漂移區上方，所述漏區位于所述N型漂移區中，所述源區、體引出區平行交替排列于P型體區中，所述源區、體引出區均通過柵極區與所述漏區分隔開，所述源區、體引出區均與所述柵極區的邊界相接或部分重合。

2.如權利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構，其特征在于，所述源區、漏區、體引出區以及柵極區上分別設置有若干接觸孔。

3.如權利要求2所述的有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構，其特征在于，所述源區、漏區、體引出區的面積與所述接觸孔的面積相適配。

4.如權利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構，其特征在于，所述源區與體引出區相鄰的邊界相接，非相鄰的邊界相應對齊。

5.如權利要求1所述的有效收集襯底電流的LDMOS版圖結構，其特征在于，所述源區與所述漏區為N型摻雜注入區，所述體引出區為P型摻雜注入區。