[實用新型]介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋和點火橋陣列

無效

• 申請號: 201120210902.X
• 申請日: 2011-06-21
• 公開（公告）號: CN202107644U
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 朱朋;沈瑞琪;葉迎華;胡艷;吳立志;周翔
• 申請（專利權）人: 南京理工大學
• 主分類號: C06C5/00
• 分類號: C06C5/00
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 朱顯國

1.一種介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋，其特征在于：點火橋橋體由上電極[1]、下電極[2]和電介質層[3]疊加而成，兩層尺寸相同方向相反的金屬薄膜分別作為上電極[1]和下電極[2]，與上電極[1]金屬薄膜尺寸、方向都相同的Al/CuO復合薄膜層夾在兩層金屬薄膜之間作為電介質層[3]，Al/CuO復合薄膜層的一部分覆蓋疊加在下電極[2]金屬薄膜上，上電極[3]金屬薄膜完全覆蓋疊加在Al/CuO復合薄膜層上。

2.根據權利要求1所述的介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋，其特征在于：所述電介質層Al/CuO復合薄膜層為若干調制周期的Al/CuO復合薄膜，Al/CuO復合薄膜調制周期的具體參數為：Al薄膜的厚度是0.3-0.4μm，CuO薄膜的厚度是0.8-0.9μm。

3.根據權利要求1所述的介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋，其特征在于：所述金屬薄膜和Al/CuO復合薄膜層采用微加工工藝磁控濺射、紫外曝光制得。

4.根據權利要求1所述的介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋，其特征在于：所述上電極金屬薄膜、下電極金屬薄膜可選擇的金屬為Pt、Ti、Cr、Al或Cu。

5.根據權利要求1所述的介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋，其特征在于：上電極、下電極和電介質層疊加重合部分的形狀為圓形、正方形、長方形或三角形。

6.一種以介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋為基礎單元的點火陣列，其特征在于：用Au金屬薄膜或Cu金屬薄膜制作成引線連接若干介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋排列成點火陣列。

7.根據權利要求6所述的以介電式Al/CuO復合薄膜含能電點火橋為基礎單元的點火陣列，其特征在于：所述Au金屬薄膜或Cu金屬薄膜采用微加工工藝磁控濺射、紫外曝光制得。