[實用新型]可變增益低噪聲放大器有效
| 申請號: | 201120208450.1 | 申請日: | 2011-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN202135097U | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發明(設計)人: | 李曉波;孫禮中 | 申請(專利權)人: | 蘇州科山微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/26 | 分類號: | H03F1/26 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮;李辰 |
| 地址: | 215021 江蘇省蘇州市工業園*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可變 增益 低噪聲放大器 | ||
技術領域
本申請涉及放大器技術領域,特別是涉及一種可變增益低噪聲放大器。
背景技術
隨著社會的發展,低功耗射頻技術的應用也越來越廣泛,例如乘坐公交車使用的公交卡、可以隨地上網的無線路由器以及無線鍵盤或鼠標等等。低噪聲放大器(Low?Noise?Amplifier,簡稱LNA)作為各類無線接收器射頻前端的關鍵模塊,其性能對整個系統起著決定性作用,要求低噪聲放大器不僅自身具有較低噪聲,同時還能夠提供一定的增益,從而來抑制混頻器等后續模塊的噪聲。
圖1為一種傳統的可變增益放大器的電路圖,該放大器以運算放大器為電路核心,通過調節電阻R11和R12的值來實現增益變化,但由于無線接收器普遍要求其內部可變增益放大器的增益與放大器的控制電壓成“分貝-線性”關系(如圖2所示),所以該放大器需要利用一種結構復雜、尺寸較大且功耗較高的坡度電壓生成器來產生調節增益所需要的控制電壓,這將導致該放大器整體功耗較高,
由上述可知,現有這種傳統的可變增益放大器需要結構復雜、尺寸較大且功耗較高的坡度電壓生成器才可以實現對增益進行調節,而無法在低功耗的無線接收電子產品中應用,因此亟需一種能夠應用于低功耗無線接收電子產品的可變增益放大器。
實用新型內容
有鑒于此,本申請實施例提供一種可變增益低噪聲放大器,采用的增益控制電路結構簡單,功耗較低,可以應用于低成本低功耗無線接收電子產品中。
為了實現上述目的,本申請實施例提供的技術方案如下:
一種可變增益低噪聲放大器,包括:放大電路和控制電路,其中:
所述放大電路包括:第一輸入負載、第一跨導輸入子電路、第一跨導輸出子電路和第一輸出負載,其中:
所述第一輸入負載連接在第一跨導輸入子電路的輸入端;所述第一跨導輸出子電路的輸入端與第一跨導輸入子電路的輸出端相連接,輸出端與第一輸出負載相連接;所述第一輸入負載為由第一電阻和第一MOS管并聯而成的等效電阻;第一輸出負載為由第二電阻和第二MOS管并聯而成的等效電阻;
所述控制電路包括:第二輸入負載、第二跨導輸入子電路、第二跨導輸出子電路和第二輸出負載,其中:
所述第二輸入負載連接在第二跨導輸入子電路的輸入端;所述第二跨導輸出子電路的輸入端與第二跨導輸入子電路的輸出端相連接,輸出端與第二輸出負載相連接;所述第一輸入負載為第三電阻,所述第二輸出負載為相串聯的第四電阻、第五電阻、第三MOS管和第四MOS管;所述第二跨導輸出子電路的一個輸出端與第一MOS管的柵極相連接,用于控制第一輸入負載的阻值大小,另一個輸出端與第二MOS管的柵極相連接,用于控制第一輸出負載的阻值大小。
優選地,所述第一跨導輸入子電路包括:第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管,其中:
所述第五MOS管、第六MOS管的源極相連接,并且與電源正極相連接,且第五MOS管、第六MOS管的源極與各自柵極之間均并聯一個恒流源;
所述第七MOS管的漏極與第五MOS管的柵極相連接,源極與第五MOS管的漏極相連接;
所述第八MOS管的漏極與第六MOS管的柵極相連接,源極與第六MOS管的源極相連接;
所述第五MOS管和第六MOS管的漏極分別通過一個電流源與地電平相連接。
優選地,所述第一MOS管的源極與第五MOS管的漏極相連接,第一MOS管的漏極與第六MOS管的漏極相連接。
優選地,所述第一跨導輸出子電路包括:
第九MOS管和第十MOS管,其中:
所述第九MOS管、第十MOS管的源極相連接,并且與電源正極相連接,第九MOS管的柵極與第六MOS管的柵極相連接,第十MOS管的柵極與第五MOS管的柵極相連接;
所述第九MOS管的漏極與第二MOS管的源極相連接,并且通過一個恒流源與地電平相連接;
所述第十MOS管的漏極與第二MOS管的漏極相連接,并且通過一個恒流源與地電平相連接。
優選地,所述第二跨導輸入子電路包括:第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管和第十四MOS管,其中:
所述第十一MOS管、第十二MOS管的源極相連接,并且與電源正極相連接,且第十一MOS管、第十二MOS管的源極與各自柵極之間均并聯一個恒流源;
所述第十三MOS管的漏極與第十一MOS管的柵極相連接,源極與第十一MOS管的漏極相連接;
所述第十四MOS管的漏極與第十二MOS管的柵極相連接,源極與第十二MOS管的漏極相連接;
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