[實用新型]一種太陽電池片

有效

• 申請號: 201120193040.4
• 申請日: 2011-06-09
• 公開（公告）號: CN202103059U
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 陳泗實;梁興芳;許新湖
• 申請（專利權）人: 陽光大地（福建）新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/0232;H01L31/04
• 代理公司: 泉州市文華專利代理有限公司 35205
• 代理人: 陳智海

技術領域

本實用新型涉及晶體硅太陽電池領域，具體涉及一種太陽電池片。

背景技術

隨著人們對再生綠色能源的重視和提倡，晶體硅太陽電池技術得到了快速的發展，傳統的晶硅太陽電池片，其主要包括有硅片、減反射膜、鋁背場及金屬電極，硅片經制絨后，在其正表面、背表面均形成起伏不平的金字塔絨面，減反射膜沉積在硅片的正表面，鋁背場印制在硅片的背表面，金屬電極制于電池片的正、背兩面處。

太陽能電池在光照情況下，將進入電池片內部的太陽光線吸收，激發硅片PN結內的電子空穴對被內建電場分離，空穴由n區流向p區，電子由p區流向n區，接通電路后就形成電流；如果光子在內建電場位置被吸收，那么電子空穴對就會被分離；如果電子空穴對在內建電場外被分離，電子空穴對的位置離內建電場的距離小于少子擴散長度，那就有可能被吸收，且離電場的位置越近，被吸收的機率機越大，而如果電子空穴對的位置離內建電場的距離大于少子擴散長度，那么就不可能被吸收。

所述硅片的正表面絨面設計，利于電池片對光的二次吸收或多次吸收，減少入射光的反射率，以最終提高電池的光電轉換效率，太陽光中紅光的穿透能力比較強，剛進入電池內沒有被吸收的紅光，會被硅片的背表面反射回來，由于硅片的背表面為起伏不平的絨面結構，紅光在背表面上會發生無規則的漫反射，則紅光就比較難反射到靠近PN結的位置處或者PN結位置，雖然紅光在電池片內部的任何位置都可能激發出電子空穴對，但由于處于遠離PN結的位置處，激發出來的電子空穴對被內建電場分離的機率就大大減少，由此降低了太陽光能的吸收利用率，并影響了電池的最終光電轉換效率。

有鑒于此，本發明人對太陽電池片結構進行了深入研究，本案由此產生。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種太陽電池片，其克服了現有技術中硅片背表面結構不合理設計導致了太陽光線吸收利用率及光電轉換效率不佳的問題。

為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是：

一種太陽電池片，主要包括有硅片、減反射膜、鋁背場及金屬電極，上述減反射膜沉積在上述硅片的正表面，上述鋁背場印制在上述硅片的背表面，上述金屬電極制于電池片的正、背兩面處，上述硅片的正表面形成為起伏不平的絨面，而背表面形成為平整的拋光面。

采用上述方案后，本實用新型一種太陽電池片，其硅片的正表面形成起伏不平的絨面，光線在絨面的不同斜面上反射使電池片對光形成二次或多次吸收，其減少了光的反射率，增加了太陽光線進入硅片內的比率，為太陽電池光電轉換提供了優良的條件；特別地，本案硅片的背表面形成為平整的拋光面，進入電池內沒有被吸收的全部紅光，會被該平整的拋光面有規則的反射回來，有利于紅光被反射到靠近PN結的位置處或者到PN結的位置，這樣紅光就有比較大的機率在離PN結較近的位置激發出電子空穴對，并大大增加了該激發出來的電子空穴對被內建電場分離的機率，由此本案硅片的背表面結構設計使硅片對太陽光能有較佳的吸收利用率，在增大了太陽電池短路電流同時，也提高了太陽電池的轉換效率。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

標號說明

硅片???1????正表面????11

背表面?12???減反射膜??2

鋁背場?3????金屬電極??4、5

具體實施方式

為了進一步解釋本實用新型的技術方案，下面通過具體實施例來對本實用新型進行詳細闡述。

如圖1所示為本實用新型一種太陽電池片，其主要包括有硅片1、減反射膜2、鋁背場3及金屬電極4、5；其中，硅片1經擴散摻雜后在其內形成較靠近正表面11的PN結結構，減反射膜2沉積在硅片1的正表面11上，該正表面11對應印刷的金屬電極4為柵銀電極，鋁背場3印制在硅片1的背表面12，該背表面12對應印刷的金屬電極5為背銀電極；太陽能電池在光照情況下，將進入硅片1內部的太陽光線進行吸收，其激發硅片1的PN結內的電子空穴對被內建電場分離，空穴由n區流向p區，電子由p區流向n區，通過金屬電極4、5接通電路，將所形成的電流以電動勢形式儲存在電池內。