[實用新型]超小型化無源抗金屬射頻識別標簽有效
| 申請號: | 201120186089.7 | 申請日: | 2011-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN202102474U | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 劉智佳 | 申請(專利權)人: | 劉智佳 |
| 主分類號: | G06K19/077 | 分類號: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 馮志云;鄭特強 |
| 地址: | 201103 上海市長*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 小型化 無源 金屬 射頻 識別 標簽 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種RFID(Radio?Frequency?Identification,無線射頻識別)標簽,尤其涉及一種超小型化無源抗金屬射頻識別標簽。
背景技術
無線射頻識別(Radio?Frequency?Identification,RFID)是一種非接觸的自動識別技術,其基本原理是利用射頻信號和電磁耦合的傳輸特性來傳遞能量和交換信息,實現對被識別物體的非接觸識別。
RFID系統至少包含電子標簽和閱讀器兩部分。電子標簽是射頻識別系統的數據載體,電子標簽由標簽天線和標簽專用芯片組成。依據電子標簽供電方式的不同,電子標簽可以分為有源電子標簽(Active?tag)、無源電子標簽(Passive?tag)和半無源電子標簽(Semi-passive?tag)。有源電子標簽內裝有電池,無源射頻標簽沒有內裝電池,半無源電子標簽(Semi-passive?tag)部分依靠電池工作。
目前標簽小型化是RFID技術和應用領域的研究熱點之一,尤其應用在醫療器械(特別是手術器械)、小型工具、異形工具的管理與追蹤領域中。由于在RFID系統中,所采用的天線主要分為標簽天線和讀寫器天線兩種。不同的環境和頻率要求具有不同特性參數的天線,而芯片基本已模塊化,標簽天線是RFID系統中最易變的部分,其設計面臨著小型化、共形化、低損耗和低成本的實際要求,且在滿足讀寫器發射功率不同的國際標準前提下,能有較遠讀距的需求。因此,優化設計標簽天線在整個系統中占有重要地位。
例如,市場上抗金屬標簽多采用微帶結構、折合結構和短路匹配式天線等。具有折合結構天線的標簽由標簽基體、標簽芯片、輻射面層及接地層組成,通常情況下,這種標簽由多層輻射面組成,使得制作成本較高,另外折合的過程中會有部分的能量損失,使得標簽的讀距性能較差。
另外,目前各國的讀寫器發射功率標準是不同的,例如,在1000M頻段左右,美國使用915M,歐洲使用866M。
因此,目前迫切需要設計出一種超小型化,并且讀寫器發射功率在不同國際標準下可以調節并具有較遠讀距的無源抗金屬射頻識別標簽來滿足市場的需要。
實用新型內容
本實用新型目的在于克服現有技術的存在的不足之處,提供一種超小型化無源抗金屬射頻識別標簽。
本實用新型另一日的在于提供了一種超小型化無源抗金屬射頻識別標簽,其通過加載電容匹配元件使得標簽整體尺寸大大減小,并能滿足較好的讀距性能。
為實現上述目的,本實用新型的技術方案如下:
一種超小型化無源抗金屬射頻識別標簽,所述標簽包括:標簽基體、設置于所述標簽基體上的標簽芯片、輻射面層及接地層;所述輻射面層和接地層分別固定于所述標簽基體的上表面和下表面;還包括設置于所述標簽基體上的電容匹配元件;其中,所述輻射面層的一端與所述接地層的一端通過一接口電連接,所述標簽芯片的兩端分別串接于所述接地層和所述輻射面層另一端;所述電容匹配元件并聯于所述標簽芯片的兩端。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述標簽基體為一長方體;所述接口包括第一通孔單元和第二通孔單元,并分別設置于所述標簽基體的兩端;所述第一通孔單元包括至少一個第一連接通孔和位于所述第一連接通孔中的第一連接柱,所述第二通孔單元包括至少一個第二連接通孔和位于所述第而連接通孔中的第二連接柱,所述第一連接柱和第二連接柱將所述輻射面層和所述接地層電連接。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述第一通孔單元和第二通孔單元對稱設置于所述標簽基體的兩端。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述第一通孔單元和第二通孔單元的通孔數分別為6個。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述電容匹配元件數值范圍為4.5pF-7.5pF。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述電容匹配元件的電容值5.5pF、6.0pF或7.0pF。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述標簽基體長度范圍為5-15mm,寬度范圍為1-5mm,高度范圍為1-3mm。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述標簽基體的尺寸為12mm×3mm×1.5mm。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述電容匹配元件與標簽芯片均位于輻射面層的平面上。
本實用新型的無源抗金屬射頻識別標簽,優選地,所述電容匹配元件與標簽芯片均位于所述標簽的側部。
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