[實用新型]具柱狀透光構造的芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120176196.1 | 申請日： | 2011-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN202259403U | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 高成 | 申請（專利權）人： | 協鑫光電科技（張家港）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;姜精斌 |
| 地址： | 215600 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柱狀 透光 構造 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種具柱狀透光構造的芯片，其特征在于，包含：
一個襯底；
一個晶層，是生長在該襯底上，其具一個N型氮化鎵材料層及一個P型氮化鎵材料層，且該N型氮化鎵材料層貼于該襯底的表面；
多個透光柱，是與該晶層為一體，且相鄰的透光柱之間具有一透光間距；
多個金屬結合層，是分別位于各該透光柱的一端；以及
一個金屬導熱板，是與各金屬結合層形成結合。
2.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：各該透光柱的表面及透光間距的底面，均可透出光線。
3.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：各透光柱通過蝕刻方式形成。
4.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：各該透光柱的形狀為圓柱形。
5.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：該襯底為藍寶石襯底。
6.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：該透光間距的底面位于N型氮化鎵材料層。
7.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：透光間距的尺寸為0.1um至1um。
8.如權利要求1所述的具柱狀透光構造的芯片，其特征在于：金屬結合層的形成方式選自蒸鍍、濺鍍、物理沉積、化學沉積與貼合。
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