[實用新型]TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置有效
| 申請號: | 201120174427.5 | 申請日: | 2011-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN202042484U | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發明(設計)人: | 魏廣偉;劉國全 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 陣列 顯示屏 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示技術領域,特別涉及TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置。
背景技術
近幾年,隨著數字化電視的普及,TFT(Thin?Film?Transistor,薄膜場效應晶體管)因其體積小、功耗低、無輻射、顯示分辨率高等特點,被大量使用并成為主流產品。
現有技術中,TFT陣列基板包括:基板、形成在基板上的公共電極層和柵電極、形成在基板上的柵絕緣層、形成在柵電極上的有源層、形成在柵絕緣層上的數據線和形成在有源層上的源電極和漏電極、形成在整個基板上的鈍化層、在漏電極位置形成鈍化層過孔以及依次排列的像素電極,該像素電極通過鈍化層過孔與漏極連接。
TFT陣列基板的工藝技術是產品保障的關鍵技術之一,在工藝不良的維修中像素結構空間對工藝不良的維修有著至關重要的作用。現有技術中,整個像素空間中可以進行刻蝕的部分組成了該像素空間的維修空間,如圖1所示,刻蝕留下的公共電極層11、數據線12和柵電極13之間的空閑空間14為非維修空間。若A位置發生故障,先架橋沉積連接故障區域兩段的數據線,確保數據線正常使用,然后通過刻除各層故障區域內各層等技術手段進行維修。該空閑空間14占用了較大的空間,從而導致維修空間不足。
實用新型內容
本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,可以增大維修空間,達到提高維修成功率等效果。
本實用新型實施例提供的一種TFT陣列基板,包括:
基板底層,具有公共電極層、柵電極、數據線、源電極和漏電極;
鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;
位于所述數據線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數據線、柵電極構成空閑空間;
所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數據線和所述公共電極層不產生電耦合,且所述公共電極層對應在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。
較佳的,所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為正四邊形。
較佳的,所述空閑空間中所述數據線和所述公共電極層之間的間距為1um至2um。
較佳的,該TFT陣列基板,還包括:
像素電極層,形成在所述鈍化層上并通過所述鈍化層過孔與所述漏電極連接。
較佳的,所述柵電極下方具有公共電極層。
較佳的,所述數據線下方具有柵線。
本實用新型實施例提供了一種顯示屏,包括:彩膜、TFT陣列基板以及位于所述彩膜和TFT陣列基板之間的液晶;
所述TFT陣列基板,包括:
基板底層,具有公共電極層、柵電極、數據線、源電極和漏電極;
鈍化層,覆蓋在所述基板底層上,在所述漏電極的位置處形成鈍化層過孔;
位于所述數據線和所述鈍化層過孔之間的公共電極層,與所述數據線、柵電極構成空閑空間;
所述空閑空間平行于所述基板底層的截面為四邊形,所述四邊形的寬度滿足所述數據線和所述公共電極層不產生電耦合,且所述公共電極層對應在所述四邊形的邊與所述鈍化層過孔的間距滿足刻蝕要求。
較佳的,所述空閑空間中所述數據線和所述公共電極層之間的間距為1um至2um。
較佳的,所述柵電極下方具有公共電極層。
本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括所述顯示屏。
由于本實用新型實施例提供的TFT陣列基板、顯示屏及顯示裝置,減小公共電極層、數據線和柵電極構成的空閑空間,而且該空閑空間的空間大小滿足確保數據線和公共電極層不產生電耦合。這樣可使得數據線和柵線的距離減小,從而增大了鈍化層過孔與數據線的距離,即增大了數據線和鈍化層過孔之間區域的公共電極層的面積,增大了進行架橋沉積的實際維修空間。同時,數據線和該公共電極層之間也具有一定的間距,防止兩者產生電耦合影響基板的正常使用。公共電極做成四邊形,可以增大公共電極層的電容,使其充電更充分,減少因為充電不夠帶來光學特性的影響,如對比度不達標等不良。此外,由于數據線下方具有柵線,也可以在一定程度上增大維修空間。
附圖說明
圖1為現有技術中TFT陣列基板的空閑空間結構示意圖;
圖2為本實用新型實施例中TFT陣列基板的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合說明書附圖對本實用新型實施例作進一步詳細描述。
如圖2所示,為本實用新型實施例提供的TFT陣列基板,其具體包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





