[實用新型]一種經顱磁刺激裝置

有效

• 申請號: 201120170932.2
• 申請日: 2011-05-26
• 公開（公告）號: CN202096605U
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 梁宏才
• 申請（專利權）人: 沈陽助邦科技有限公司
• 主分類號: A61N2/04
• 分類號: A61N2/04
• 代理公司: 沈陽圣群專利事務所 21221
• 代理人: 王鋼

1.一種經顱磁刺激裝置，其特征在于由下述結構構成：單片機控制器，用于接收按鍵的輸入信號向光耦輸出控制信號；光耦，接收單片機控制器的控制信號向推挽電路輸出控制信號；推挽電路，用于接收光耦發送的驅動信號并向MOS管發送控制信號；MOS管，接收推挽電路的控制信號向電磁發生器輸出電流；電磁發生器，接收MOS管的輸出電流產生磁場；按鍵，用于向單片機控制器輸入信號。

2.根據權利要求1所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的MOS管與儲能電容連接，儲能電容與20V直流電源連接。

3.根據權利要求1所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的電磁發生器由U型鐵芯，設在U型鐵芯上的線圈骨架和纏繞在線圈骨架上的線圈構成。

4.根據權利要求3所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的線圈的兩端并聯有反向續流二級管。

5.根據權利要求3所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的U型鐵芯上設有兩個線圈骨架，兩個線圈骨架上的線圈串聯，每個線圈為120匝。

6.根據權利要求1所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的推挽電路為一個NPN三極管和一個PNP三極管構成，兩個三極管的基極與光耦的輸出端連接；NPN三極管的集電極接12V直流電源，PNP三極管的集電極接地。

7.根據權利要求6所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的推挽電路的輸出端與MOS管的柵極連接。

8.根據權利要求1所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的光耦由12V直流電源供電，單片機控制器由5V直流電源供電。

9.????根據權利要求2所述的一種經顱磁刺激裝置，其特征在于所述的儲能電容與MOS管的漏極連接，儲能電容為50V/10000μF電解電容。