[實用新型]拋光布

有效

• 申請號: 201120169983.3
• 申請日: 2011-05-25
• 公開（公告）號: CN202088119U
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 戴維斯·張;劉文森;趙波;古燕;劉麗杰
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術有限公司
• 主分類號: B24D11/00
• 分類號: B24D11/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝;王瑩

技術領域

本實用新型涉及晶片加工技術領域，尤其涉及一種用于對晶片進行拋光處理的拋光布。

背景技術

眾所周知，在晶片的加工過程中需要對其進行拋光，這通常使用拋光布來完成。如圖1和圖2所示，在現有技術中所使用的拋光布表面的流液槽的樣式多為圓弧形狀或網格形狀，具有這種樣式流液槽的拋光布在實際應用過程中容易產生吸片、晶片表面去除量不均勻等現象。另外，在現有技術中加工拋光布的流液槽所使用的工藝主要有三種：其一是利用銑削的方法加工，這種方法加工的拋光布表面會產生碎屑及毛絲殘留物，從而影響到晶片表面的光潔度；其二是利用激光刻蝕工藝，這種方法加工的流液槽因為刻蝕而使拋光布表面硬化，從而影響晶片表面的光潔度；其三為熱壓法加工工藝，這種方法加工出的拋光布使用效果最好，避免了前兩種情況的不足，但加工工藝復雜、成本較高。

實用新型內容

(一)要解決的技術問題

本實用新型的目的是，提供一種具有新型樣式的流液槽的拋光布，以便拋光布流液槽的樣式簡單，易于加工，從而制造的拋光布在加工晶片時不容易產生表面缺陷，提高晶片的成品率。

(二)技術方案

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種拋光布，其表面分布有流液槽，其中，所述流液槽呈太陽放射線形狀。

優選地，所述拋光布為圓形，所述流液槽以所述拋光布的圓心為中心，沿所述拋光布的半徑方向呈直線型太陽放射線形狀，并且每個所述流液槽的一端位于所述拋光布的圓周邊緣，其另一端位于圓心；

或者，其另一端與所述拋光布的圓心具有一定距離。

優選地，所述拋光布包括2～78個流液槽單元組，所述流液槽單元組沿圓周方向均勻分布，所述流液槽單元組包括至少1個流液槽。

優選地，所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，其包括2～16個流液槽單元組，優選包括6個流液槽單元組，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，其包括48～72個流液槽單元組，優選包括64個流液槽單元組。

優選地，所述流液槽單元組包括1～8個流液槽，優選包括6個流液槽。

優選地，所述流液槽的長度為1/5R～11/12R，其中R為所述拋光布的半徑。

優選地，所述流液槽單元組包括長流液槽單元組和短流液槽單元組，其沿所述拋光布的圓周方向交替分布，其中，所述長流液槽單元組中流液槽的長度為2/3R～5/6R，優選為3/4R，所述短流液槽單元組中流液槽的長度為1/5R～2/3R，優選為7/12R，其中R為所述拋光布的半徑。

優選地，所述流液槽的寬度為1.0～2.5mm，優選為1.5～1.8mm。

優選地，所述流液槽的深度為0.2～0.9mm，優選為0.3～0.8mm，最好為0.4～0.5mm。

優選地，所述拋光布為吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為0.5％～8％，或者，所述拋光布為不吸附被拋光件的拋光布，所述流液槽的面積比為8％～20％，其中R為所述拋光布的半徑。

(三)有益效果

本實用新型提出的拋光布，其表面流液槽的樣式簡單、易于加工，可以減少碎屑及毛絲殘留物，使用時可以大大提高藥液置換頻率，使藥液流動通暢、均勻分布，并可以減少晶片表面加工過程中可能產生的缺陷，提高成品率。

附圖說明

下面參照附圖并結合實例來進一步描述本實用新型。其中：

圖1示出了現有技術的第一種拋光布表面的流液槽樣式；

圖2示出了現有技術的第二種拋光布表面的流液槽樣式；

圖3示出了本實用新型的實施例一的拋光布表面的流液槽樣式；

圖4示出了本實用新型的實施例二的拋光布表面的流液槽樣式；

圖5示出了本實用新型的實施例三的拋光布表面的流液槽樣式；

圖6示出了本實用新型的實施例四的拋光布表面的流液槽樣式。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

實施例一