[實用新型]一種獨立封裝的橋式磁場角度傳感器

有效

• 申請號: 201120160659.5
• 申請日: 2011-05-19
• 公開（公告）號: CN202119390U
• 公開（公告）日: 2012-01-18
• 發明（設計）人: 詹姆斯·G·迪克;沈衛鋒;王建國;張小軍;雷嘯鋒;金英西;薛松生
• 申請（專利權）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號: G01B7/30
• 分類號: G01B7/30;G01R33/09
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;李艷

1.一種獨立封裝的橋式磁場角度傳感器，其特征是：該傳感器包括兩個半橋傳感器，每個半橋傳感器包括一個傳感器芯片，其中一個磁電阻芯片相對另一個磁電阻芯片旋轉90度排列，傳感器芯片被固定在標準的半導體封裝的引線框上，每個傳感器芯片包括一阻止固定的參考電阻和一響應于外磁場改變的感應電阻；每個參考電阻和感應電阻包括多個MTJ或GMR傳感器元件，這些MTJ或GMR傳感器元件作為單獨的磁電阻元件以陣列的形式相互連接，每個參考電阻和感應電阻還包括條形永磁鐵，在各列磁電阻元件中間為磁電阻元件提供偏置場；所述感應電阻的電阻值與外磁場在磁電阻傳輸曲線的一段范圍內呈線性的關系；該傳感器芯片的引線焊盤設置為使磁電阻元件的每個引腳用于連接多條接合線；磁電阻傳感器芯片相互之間以及與引線框之間都通過引線接合連接，以構成一橋式傳感器；引線框和傳感器芯片密封在塑料之中，以形成一標準的半導體封裝。

2.一個獨立封裝的橋式磁場角度傳感器，其特征是：該傳感器包括兩個全橋傳感器，每個全橋傳感器包括一兩個半橋傳感器，每個半橋傳感器包括一個MTJ或GMR磁電阻傳感器芯片，該傳感器芯片被固定在標準半導體封裝的引線框上；每個傳感器芯片包括一阻值固定的參考電阻和一響應于外磁場改變阻值的感應電阻；每個參考電阻和感應電阻包括多個MTJ或GMR傳感器元件，這些MTJ或GMR傳感器元件作為單獨的磁電阻元件以陣列的形式相互連接，每個參考電阻和感應電阻還包括條形永磁鐵，在各列磁電阻元件中間為磁電阻元件提供偏置場；感應電阻的電阻值與外磁場在磁電阻傳輸曲線的一段范圍內呈線性的關系；傳感器芯片的引線焊盤設置為使磁電阻元件的每個引腳可以連接多條接合線；磁電阻傳感器芯片相互之間以及與引線框之間都通過引線接合連接，以構成一橋式傳感器；引線框和傳感器芯片密封在塑料之中，以形成一標準的半導體封裝。

3.如權利要求?2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：第一個全橋傳感器中的一個傳感器芯片與該全橋傳感器種的另外一個傳感器芯片同向排布，第二個全橋傳感器中的一個傳感器芯片相對該全橋傳感器中的另外一個傳感器芯片旋轉90度排布。

4.如權利要求2中所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：第一個全橋傳感器中的一個傳感器芯片與該全橋傳感器種的另外一個傳感器芯片同向排布，第二個全橋傳感器中的一個傳感器芯片相對該全橋傳感器種的另外一個傳感器芯片旋轉90度排布。

5.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：所述磁電阻元件呈橢圓形。

6.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：所述參考電阻的磁電阻元件與所述感應電阻的磁電阻元件具有不同的形狀比例。

7.如權利要求1所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：所述參考電阻被一個或幾個磁屏蔽層從外磁場中隔離開來。

8.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器所述的傳感器芯片，其特征是：所述傳感器芯片上設置有用于驅動其工作的偏置電壓或偏置電流。

9.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：所述傳感器芯片在裝配之前進行測試和分級，以使傳輸特性曲線更好地匹配。

10.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：采用并排的方式設置橋式磁場角度傳感器以用于檢測低磁場梯度的角度。

11.如權利要求1或2所述的橋式磁場角度傳感器，其特征是：采用共同中心的方式設置橋式磁場角度傳感器以用于檢測高磁場梯度的角度。

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