[實(shí)用新型]打扁引線二極管清洗盤(pán)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120152410.X | 申請(qǐng)日: | 2011-05-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202042465U | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李安 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 淄博美林電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;B08B3/08 |
| 代理公司: | 淄博佳和專利代理事務(wù)所 37223 | 代理人: | 孫愛(ài)華 |
| 地址: | 255000 *** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 引線 二極管 清洗 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
打扁引線二極管清洗盤(pán),屬于半導(dǎo)體器件制作用具領(lǐng)域。
背景技術(shù)
打扁引線二極管主要作用是整流,調(diào)整電流方向。凡需要電壓進(jìn)行整流的領(lǐng)域都可以使用打扁引線二極管:如電鍍電解需要直流,因而需要把交流整流為直流;直流電機(jī)也需要把交流整流為直流;高壓直流靜電需要把交流整流為直流;變頻電機(jī)的逆變電源是直流也需要把交流整流為直流;蓄電池充電也需要把交流整流為直流。
現(xiàn)有技術(shù)的打扁引線二極管酸洗使用的酸洗盤(pán)為圓形孔,主要存在如下問(wèn)題:
1.酸洗盤(pán)沉孔過(guò)深,在酸洗過(guò)程中,各種酸的消耗量就大,制作成本高;
2.打扁引線的方向不一,清洗效果不好,影響產(chǎn)品電性良品率。
所以,打扁引線二極管在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)中,一直缺少競(jìng)爭(zhēng)力,酸洗盤(pán)的改良是一個(gè)急需解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,提供一種使焊接后的打扁引線二極管轉(zhuǎn)換到酸洗盤(pán)里以后其打扁引線方向一致,能夠減少酸的消耗量,并且非常利于沖洗殘酸的打扁引線二極管清洗盤(pán)。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:該打扁引線二極管清洗盤(pán),包括酸洗盤(pán)和在酸洗盤(pán)上成排均布的沉孔,其特征在于:沉孔上部直徑大于下部直徑,每排沉孔中間設(shè)置排向槽,排向槽將沉孔一分為二,兩排沉孔之間設(shè)置隔酸條。
沉孔上部直徑為2.5±0.02mm,高度為0.825mm,下部直徑為0.75±0.02mm,高度為5.2±0.02mm。
隔酸條的高度為1.8±0.02mm。
與現(xiàn)有的打扁引線二極管酸洗盤(pán)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:
1.使產(chǎn)品的電性品質(zhì)更加穩(wěn)定,良品率提高5%左右,直接產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益3萬(wàn)元/月;
2.降低了制作成本,混合酸、磷酸、雙氧水和氨水的消耗量減少了50%,每月可以節(jié)約原材料成本約1萬(wàn)元/月,大大提高了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
附圖說(shuō)明
圖1是打扁引線二極管酸洗盤(pán)主視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是沉孔結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1-2是本實(shí)用新型的最佳實(shí)施例。其中:1、沉孔??2、隔酸條??3、排向槽??4、酸洗盤(pán)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖1-2對(duì)本實(shí)用新型的打扁引線二極管酸洗盤(pán)做進(jìn)一步說(shuō)明:
參照附圖1-2:
該打扁引線二極管清洗盤(pán)為長(zhǎng)方形,由沉孔1、隔酸條2、排向槽3和酸洗盤(pán)4組成,沉孔1自上而下排成一排,每排沉孔1中間設(shè)置排向槽3,排向槽3也是自上而下排列,排向槽3將沉孔1一分為二,兩排沉孔1之間設(shè)置隔酸條2。布滿整個(gè)清洗盤(pán)。沉孔1上部直徑大于下部直徑,沉孔上部直徑為2.5±0.02mm,高度為0.825mm,下部直徑為0.75±0.02mm,高度為5.2±0.02mm。
酸洗過(guò)程如下:
1、把焊接后材料轉(zhuǎn)接到酸洗盤(pán)4的沉孔1中。
2、利用排向槽3把二極管的打扁引線按同一方向排列整齊,便于酸洗后的清洗。
3、酸放入酸洗盤(pán)4后,由于隔酸條2的作用,可以減少50%酸的用量。
4、通過(guò)沖水的方式對(duì)材料進(jìn)行清洗,由于有隔酸條2的作用,保證在沖水時(shí)更加利于清洗,且能達(dá)到用水很少的效果。
以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非是對(duì)本實(shí)用新型作其它形式的限制,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與改型,仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





