[實用新型]一種氧化銦錫透明電極無效
| 申請號: | 201120148053.X | 申請日: | 2011-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN202025805U | 公開(公告)日: | 2011-11-02 |
| 發明(設計)人: | 范斌;倪斌;田清勇;白華;章春友;瞿光胤;范春琳;陳加坡;葉毅才 | 申請(專利權)人: | 廈門惟華光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/52 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所 35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361102 福建省廈門市翔*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 透明 電極 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電極,尤其是涉及一種氧化銦錫透明電極。
背景技術
對于太陽能電池,特別是薄膜太陽能電池來說,由于中間半導體層幾乎沒有橫向導電性能,因此必須使用氧化銦錫透明器件有效收集電池的電流。同時,氧化銦錫薄膜具有高透和減反射的功能,可讓大部分光進入吸收層。但由于大部分氧化銦錫制品用于光電顯示行業,精密度、適應性與電導率往往無法適應制備太陽能電池的需求。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種精密較高,可用于制作有機太陽能電池(OPV)的氧化銦錫透明電極。
本實用新型設有氧化銦錫層和透明襯底層,所述氧化銦錫層設在透明襯底層上,氧化銦錫層上表面的中間部分設有中間電極帶,氧化銦錫層上表面的邊緣部分設有8個邊緣電極帶。
所述氧化銦錫層的厚度可為10~300nm,所述氧化銦錫層的電導率可為1~50Ω。
所述透明襯底層的厚度可為0.3~5mm。
所述透明襯底層可為玻璃襯底層或塑料襯底層等。
本實用新型的長度可為5~500mm,寬度可為5~500mm。
所述中間電極帶的長度可為5~500mm,寬度可為1~490mm;所述邊緣電極帶的長度可為1~490mm,寬度可為1~490mm。
由于本實用新型采用氧化銦錫層和透明襯底層兩層結構,上層的氧化銦錫層的表面結構為多個塊狀分布,主要由中間部分的中間電極帶和邊緣的8個電極帶組成,因此具有精密度較高、電導率較好等優點,是一種很好的透明導電器材,特別適合于OPV、OLED等需要液態共蒸發、涂布、勻膠、蒸鍍、沉積等工藝的產品作為襯底或電極材料。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例的結構組成示意圖。在圖1中,1為氧化銦錫層,2為透明襯底層。
圖2為本實用新型實施例的氧化銦錫層上表面的結構示意圖。在圖2中,1為氧化銦錫層,11為中間電極帶,12為邊緣電極帶。
具體實施方式
參見圖1和2,本實用新型實施例設有氧化銦錫層1和透明襯底層2,所述氧化銦錫層1設在透明襯底層2上,氧化銦錫層1上表面的中間部分設有中間電極帶11,氧化銦錫層1上表面的邊緣部分設有8個邊緣電極帶12。
所述氧化銦錫層的厚度為10~300nm,所述氧化銦錫層的電導率為1~50Ω。
所述透明襯底層的厚度為0.3~5mm。
所述透明襯底層為玻璃襯底層或塑料襯底層等。
本實用新型的長度為5~500mm,寬度為5~500mm。
所述中間電極帶的長度為5~500mm,寬度為1~490mm;所述邊緣電極帶的長度為1~490mm,寬度為1~490mm。
以下給出本實用新型的制備工藝:
首先將氧化銦錫玻璃切割成所需尺寸,再使用激光蝕刻工藝將氧化銦錫層除去,最后經過清洗,得到氧化銦錫透明電極。
本實用新型利用切割與激光蝕刻工藝將氧化銦錫玻璃進行切塊處理與表面清除,制作成具有導電電路性質的氧化銦錫透明電極,該氧化銦錫透明電極的結構十分適合制作OLED與OPV的小片產品。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





