[實(shí)用新型]一種移位寄存器及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201120147804.6
• 申請(qǐng)日: 2011-05-11
• 公開（公告）號(hào): CN202084307U
• 公開（公告）日: 2011-12-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C19/28
• 分類號(hào): G11C19/28;G09G3/20;G09G3/36
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 李娟

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種移位寄存器及顯示裝置。

背景技術(shù)

GOA(Gate?Drive?on?Array，柵極集成驅(qū)動(dòng))，是指將LCD(Liquid?CrystalDisplay，液晶顯示)面板的柵極驅(qū)動(dòng)集成在玻璃基板上。然后GOA電路與陣列基板的柵線連接，作為移位寄存器控制柵線信號(hào)。將相比傳統(tǒng)的COF(ChipOn?Film，覆晶薄膜)和COG(Chip?On?Glass，直接綁定玻璃上)工藝，GOA技術(shù)不僅節(jié)省了成本，而且可以將面板做得兩邊對(duì)稱，實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)，對(duì)產(chǎn)能和良率提升也較有利。

但是，GOA的設(shè)計(jì)也存在一定的問(wèn)題，其電路中的三極管的寄生電容會(huì)導(dǎo)致有較大的功耗和噪聲，而且陣列基板作為輸出負(fù)載很大，從而使得輸出信號(hào)延遲變形。

圖1為每一級(jí)GOA電路的連接關(guān)系，由于第N-1行GOA單元的輸出端連接第N行GOA單元的輸入端，第N行GOA單元的輸出端連接第N+1行GOA單元的輸入端，因此上一行的信號(hào)變形直接影響到下一行的輸出信號(hào)的質(zhì)量。當(dāng)很多GOA單元級(jí)聯(lián)時(shí)，信號(hào)的變形就會(huì)持續(xù)惡化，從而導(dǎo)致GOA的輸出信號(hào)嚴(yán)重變形，甚至不能輸出。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器及顯示裝置，可以降低柵極集成驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)的變形程度，從而降低其對(duì)下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)的影響。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種移位寄存器，包括：

多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32；其中：

本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一TFT組件32的輸入端，所述TFT組件32包含至少一個(gè)TFT；

所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD；

所述TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。

較佳的，所述TFT組件32包括一個(gè)以上依次連接的TFT。

較佳的，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321；

各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321；

最后一個(gè)TFT的漏極323作為TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312；

TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。

較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。

較佳的，每級(jí)所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的輸出信號(hào)端311連接陣列基板的柵線。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括移位寄存器和陣列基板；

所述移位寄存器的信號(hào)輸出端連接所述陣列基板的柵線；

所述移位寄存器包括：多級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31、和與所述柵極集成驅(qū)動(dòng)電路數(shù)目相等的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管TFT組件32；其中：

本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311連接一TFT組件32的輸入端，所述TFT組件32包含至少一個(gè)TFT；

所述TFT組件32的電壓輸入端連接直流高電平信號(hào)VDD；

所述TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312。

較佳的，所述TFT組件32包括一個(gè)以上依次連接的TFT。

較佳的，依次連接的TFT中，第一個(gè)TFT的柵極作為TFT組件32的輸入端，連接本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸出端311，第一個(gè)TFT的漏極323連接下一個(gè)中間TFT的柵極321；

各個(gè)中間TFT的漏極323均連接下一個(gè)中間TFT的柵極321；

最后一個(gè)TFT的漏極323作為TFT組件32的輸出端連接下一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路31的信號(hào)輸入端312；

TFT組件32中所有TFT的源極322均連接直流高電平信號(hào)VDD。

較佳的，所述TFT的溝槽寬度大于100微米。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的移位寄存器及顯示裝置，通過(guò)增加TFT(ThinFilm?Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以及直流高電平信號(hào)，改善上一級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的輸出信號(hào)變形，進(jìn)而較好的避免了上級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路對(duì)本級(jí)柵極集成驅(qū)動(dòng)電路的影響。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中多級(jí)GOA電路連接示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖；