[實用新型]具有二次臺面包裹電極的AlGaN紫外探測器有效

申請號：	201120142481.1	申請日：	2011-05-06
公開（公告）號：	CN202134542U	公開（公告）日：	2012-02-01
發明（設計）人：	李超;李向陽;許金通;劉福浩;張燕;劉向陽;喬輝	申請（專利權）人：	中國科學院上海技術物理研究所
主分類號：	H01L31/0304	分類號：	H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101
代理公司：	上海新天專利代理有限公司 31213	代理人：	郭英
地址：	20008***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有二次臺面包裹電極 algan 紫外探測器
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【權利要求書】：

1.一種具有二次臺面包裹電極的AlGaN紫外探測器，其結構為：在襯底(1)上依次生長緩沖層(2)、n型薄膜層(3)、本征薄膜層(4)、p型薄膜層(5)和p型帽層(6)，其特征在于：

所述的襯底(1)采用藍寶石、硅、碳化硅或氮化鎵材料；

所述的緩沖層(2)為厚度不小于10nm的AlN或GaN薄膜；

所述的n型薄膜層(3)為電子濃度大于1×10¹⁸cm^-3的AlGaN薄膜；

所述的本征薄膜層(4)為厚度100nm-300nm的AlGaN薄膜，其中自由載流子濃度小于5×10¹⁶cm^-3；

所述的p型薄膜層(5)為厚度為100-200nm的AlGaN薄膜，其中空穴濃度大于1×10¹⁷cm^-3；

所述的p型帽層(6)為厚度為10-100nm的InGaAs、InGaN或AlGaN薄膜，空穴濃度大于1×10¹⁷cm^-3；

所述的AlGaN紫外探測器為方形或圓形結構，p型帽層(6)及以下10-40nm的p型薄膜層(5)制作成與器件結構相應的方形或圓形的微臺面結構，其邊長或半徑為10-200μm，p包裹型歐姆電極(8)將整個微臺面包裹在電極的中間，本征薄膜層(4)和p型薄膜層(5)構成器件臺面，其形狀制作成與器件結構相對應的方形或圓形，其邊長或半徑比微臺面的邊長或半徑大20-100μm，在n型薄膜層(3)上制備有n型歐姆電極(7)，其形狀與方形或圓形器件相對應為長條形或環形結構。?

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