[實(shí)用新型]一種保護(hù)元件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201120138005.2 | 申請(qǐng)日： | 2011-05-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202049822U | 公開（公告）日： | 2011-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃恩琳;陳捷 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廈門萊納電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01C7/02 | 分類號(hào)： | H01C7/02;H01H85/08 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人： | 朱凌 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市火炬高新*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 保護(hù) 元件 | ||
1.一種保護(hù)元件，其特征在于，包括PPTC片和熱熔斷體，該P(yáng)PTC片與熱熔斷體串接相連，并該熱熔斷體的熔點(diǎn)高于PPTC片的熔點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該熱熔斷體的熔點(diǎn)至少比PPTC片的熔點(diǎn)高5℃。
3.如權(quán)利要求1所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該熱熔斷體包括兩根引線、低熔點(diǎn)合金絲以及包覆在低熔點(diǎn)合金絲外表面的助熔劑層，該低熔點(diǎn)合金絲位于兩根引線之間，該低熔點(diǎn)合金絲的熔點(diǎn)至少比PPTC片的熔點(diǎn)高5℃。
4.如權(quán)利要求3所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該熱熔斷體還包括外殼，該低熔點(diǎn)合金絲、助熔劑層以及兩根引線均封裝在外殼中，該兩根引線則露出于外殼，并其中的一根引線與PPTC片串接相連。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該P(yáng)PTC片上形成有沉槽，該熱熔斷體則嵌入設(shè)置在PPTC片的沉槽內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該熱熔斷體貼裝在PPTC片的表面。
7.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的一種保護(hù)元件，其特征在于，該保護(hù)元件采用環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯或硅橡膠而包封為一體。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廈門萊納電子有限公司，未經(jīng)廈門萊納電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120138005.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
