[實用新型]多晶硅薄膜

有效

• 申請號: 201120134612.1
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN202058744U
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 李媛;吳興坤;郝芳;楊晗瓊
• 申請（專利權）人: 杭州天裕光能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/0392
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所 33206
• 代理人: 胡龍祥

1.多晶硅薄膜，包括基板（1）和多晶硅薄膜層（3），其特征是:所述的基板（1）與多晶硅薄膜層（3）之間具有與二者復合在一起的硅化鈦納米線與多晶硅薄膜共存的過渡層（2）。

2.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的基板（1）為氧化錫或氧化鋅的透明導電氧化物薄膜玻璃，或為不銹鋼板。

3.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的基板（1）的厚度為3-4mm。

4.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化鈦納米線包括納米線、納米釘、納米棒、納米線簇、火箭狀納米線中的至少一種形態。

5.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述過渡層（2）的厚度為4-12nm。

6.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征是：所述的硅化鈦納米線為TiSi晶相或TiSi₂晶相。