[實用新型]一種改善手機顯示屏ESD性能的結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120133369.1
• 申請日: 2011-04-29
• 公開（公告）號: CN202013461U
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設計）人: 曾元清
• 申請（專利權）人: 廣東歐珀移動通信有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;H04M1/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 羅曉林;李志強

技術領域

本實用新型涉及一種手機顯示屏結構，特別是涉及一種改善手機顯示屏ESD性能的結構。

背景技術

現(xiàn)有技術中，國際、國內(nèi)品牌手機對防靜電ESD（英文Electro-Static?discharge的縮寫）都有一定要求，就靜電本身而言，它具有一些特點：一、隱蔽性，人體不能直接感知靜電；二、潛在性，有些電子元器件受到靜電損傷后的性能沒有明顯的下降，但多次累加放電會給器件造成內(nèi)傷而形成隱患；三、隨機性，從一個元件產(chǎn)生以后，一直到它損壞以前，所有的過程都受到靜電的威脅，而這些靜電的產(chǎn)生也具有隨機性；四、復雜性，靜電放電損傷的失效分析工作，因電子產(chǎn)品的精、細、微小的結構特點而費時、費事、費錢，要求較高的技術并往往需要使用掃描電鏡等高精密儀器。即使如此，有些靜電損傷現(xiàn)象也難以與其他原因造成的損傷加以區(qū)別，使人誤把靜電損傷失效當作其他失效。這在對靜電放電損害未充分認識之前，常常歸因于早期失效或情況不明的失效，從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因，所以靜電對電子器件損害極其復雜。防止靜電除了在生產(chǎn)中，采用各種防靜電措施，在具體提高靜電能力的地方通常采取的一些方法如將BTB（英文Branch?Target?Buffer的縮寫）座包絕緣膠、主FPC（英文Flexible?Printed?Circuit的縮寫）增大露銅接地等，雖然會有一定的改善，但一致性不好，會造成一定概率的靜電環(huán)。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種改善手機顯示屏ESD性能的結構，能有效的提高防靜電能力，且結構簡單，易于安裝。

為了達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種改善手機顯示屏ESD性能的結構，該結構由上至下依次包括上層偏光片、上層玻璃基板、液晶層及下層玻璃基板，在上層偏光片與上層玻璃基板之間設置有一層導電薄膜，該導電薄膜為ITO(英文Indium?Tin?Oxides的縮寫)薄膜或導電膠涂層，且通過在導電薄膜的左右兩側點導電銀漿鍍層或者其它導電材料將導電薄膜與下層玻璃基板的GND相連接，導電銀漿鍍層為長方體、圓柱體、階梯橢圓圓柱體或階梯長方體，導電銀漿鍍層的寬度、厚度及形狀可以進行調整，基于平面內(nèi)開關IPS技術的寬視角顯示屏，它與普通TFT顯示屏的最大差異在于VCOM（英文Voltage?Common的縮寫）公共電極與薄膜晶體管TFT位于同一層即下玻璃基板上表面，為公共電極與薄膜晶體管層，設置在下層玻璃基板的上表面。

下層玻璃基板的一側設置有顯示面板驅動芯片，顯示屏面板驅動芯片與外接柔性電路板FPC相連，柔性電路板上設置有ESD器件區(qū)域，ESD器件區(qū)域包括電容和電阻，在FPC的狹長端還設置有BtoB（英文Board?To?Board的縮寫）CONN連接端接口。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：第一、通過在導電薄膜的左右兩側點導電銀漿鍍層或者使用其它導電材料將導電薄膜與下層玻璃基板的GND相連接，通過相對應的左右兩點來轉移靜電所產(chǎn)生的電荷能量，且導電銀漿鍍層的寬度、厚度及形狀可以進行調整，在一定程度上改善了手機顯示屏的ESD防靜電能力；第二、該結構設計簡單，易于實現(xiàn)。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的正面結構示意圖；

圖3為本實用新型的導電銀漿鍍層位置示意圖；

圖4為導電銀漿鍍層的側視圖。

具體實施方式

本實用新型的主旨在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種改善手機顯示屏ESD性能的結構，在上層偏光片與上層玻璃基板之間設置有導電薄膜，公共電極VCOM與薄膜晶體管TFT位于同一層,設置在下層玻璃基板的上表面，在一定程度上改善了手機顯示屏的ESD防靜電能力，且該結構設計簡單，易于實現(xiàn)。

手機顯示屏作為手機顯示裝置與人體接觸的概率較大，因此顯示屏靜電問題比較普遍，特別是滑蓋機。滑蓋機的滑軌和水平耦合板兩塊金屬形成電容，對滑軌放電時，LCD顯示屏處于電場之中，那么此時對抗靜電能力要求就比較嚴苛。另外，對于滑蓋機的滑軌，金屬電池蓋以及背面的金屬裝飾片都是直接或間接與內(nèi)部PCB主地相連的外露金屬，無論是接觸放電還是空氣放電，ESD能量都能更容易通過這些金屬注入到上層ITO與平面耦合板形成的等效電容上。尤其是-12kV空氣放電時，負電荷向這個等效電容充電，且積累在金屬框和ITO薄膜的下表面。