[實(shí)用新型]隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120126414.0
• 申請日: 2011-04-26
• 公開（公告）號: CN202059318U
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉闖
• 申請（專利權(quán)）人: 劉闖
• 主分類號: H02M1/092
• 分類號: H02M1/092
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路，包括：上橋臂驅(qū)動電路和下橋臂驅(qū)動電路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征是，上橋臂驅(qū)動電路包括光電耦合隔離電路、推挽驅(qū)動電路、恒壓降電路，所述的光電耦合隔離電路將控制信號IN_1H與驅(qū)動電路隔離，控制信號IN_1H串接電阻R_1H后與光電耦合器U_1H的發(fā)光二極管連接，光電耦合器U_1H輸出串接上拉電阻R_3H后與驅(qū)動電源V_Driver相連，組成放大電路將控制信號IN_1H放大到驅(qū)動電源V_Driver的電平等級；所述的推挽驅(qū)動電路包括NPN三極管Q₁、PNP三極管Q₂，其基極各自連接有電阻R₄、R₅，其發(fā)射極直接相連串接電阻R_2H后與上臂MOSFET管S_1H門極相連；所述的恒壓降電路，NPN三極管Q₁的集電極與PNP三極管Q₂的集電極之間連接一個無極性電容C₂和一個電解電容C₁，電解電容C₁的極性向NPN三極管Q₁的集電極一側(cè)，且NPN三極管Q₁的集電極反向串接快速二極管D后與驅(qū)動電源V_Driver連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征是，下橋臂MOSFET驅(qū)動電路由光電耦合電路組成，光電耦合電路將控制信號IN_1L與驅(qū)動電路隔離，控制信號串接電阻R_1L與光電耦合器U_1L的發(fā)光二極管連接，光電耦合器U_1L輸出串接上拉電阻R_3L與驅(qū)動電源V_Driver相連，組成放大電路將控制信號IN_1L放大到驅(qū)動電源V_Driver的電平等級；光電耦合器U_1L的輸出直接串接電阻R_2L與下臂MOSFET管S_1L門極相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征是，驅(qū)動橋式變換器之前，先將所有橋式下臂MOSFET管導(dǎo)通，上臂驅(qū)動電路中的快速二極管D導(dǎo)通，對上臂驅(qū)動電路中的電解電容器C₁充電，驅(qū)動上臂MOSFET管時，NPN三極管Q₁導(dǎo)通，上臂MOSFET管柵極與源極的壓差即是電解電容器的電壓，上臂MOSFET管導(dǎo)通后，其源極電壓跳變?yōu)闃蚴阶儞Q器的輸入電壓V_DC，NPN三極管Q₁的集電極電壓跳變?yōu)檩斎腚妷篤_DC與電解電容器電壓之和，快速二極管關(guān)斷，對驅(qū)動電源V_Driver不會產(chǎn)生影響，而上臂MOSFET管的柵極與源極的壓差仍保持為電解電容器C₁的電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離的橋式高頻MOSFET驅(qū)動電路，其特征是，對于驅(qū)動電源V_Driver直接由功率電路的電源變換得到，或與控制電路隔離的電源，驅(qū)動兩橋或三橋，驅(qū)動電源都只需要一路。?