[實用新型]涂硼中子探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201120113645.8
• 申請日: 2011-04-18
• 公開（公告）號: CN202221480U
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發(fā)明（設計）人: 趙自然;王永強;陳志強;張清軍;李元景;劉以農(nóng);毛紹基;姚楠;董淑強
• 申請（專利權）人: 同方威視技術股份有限公司;清華大學
• 主分類號: G01T3/00
• 分類號: G01T3/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周春梅;譚祐祥

1.一種涂硼中子探測器，其包括：

陰極管，其內部沿縱向形成多個通道，每個通道的內壁都涂有硼材料；

電極絲，充當陽極，其被縱向地布置在每個所述通道內，該電極絲適于被施加高壓；以及

絕緣端板，所述陰極管的每一端都固定有所述絕緣端板，所述電極絲通過所述絕緣端板與所述陰極管固定在一起。

2.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述陰極管由多個涂有硼材料的基板拼接形成，從而形成所述多個通道。

3.根據(jù)權利要求2所述的涂硼中子探測器，其特征在于：每個所述基板呈L形，由平面狀的基板折疊形成，使得每個通道具有方形截面。

4.根據(jù)權利要求2所述的涂硼中子探測器，其特征在于：每個所述基板含有至少一個L形臺階，由平面狀的基板折疊形成，使得每個通道具有方形截面。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述通道形成陣列，所述陣列可為2×2到M×N，其中，M、N均為大于2的整數(shù)。

6.根據(jù)權利要求3或4所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述基板是在折疊之前被涂上硼材料。

7.根據(jù)權利要求3或4所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述基板是在折疊之后被涂上硼材料。

8.根據(jù)權利要求3或4所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述基板厚度從0.01mm到1mm。

9.根據(jù)權利要求3或4所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述基板由鋁、鈹、塑料材料之一制成。

10.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述硼材料包括B，B₄C，B₁₀H₁₄，BN，B₂O₃，B₆S。

11.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述硼材料涂覆厚度從0.1μm到4μm。

12.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述陰極管由鋁、鈹、塑料材料之一制成。

13.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述陰極管的內部設有涂有硼材料的分隔板，從而形成所述多個通道。

14.根據(jù)權利要求13所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述陰極管沿其縱向具有圓形或方形截面。

15.根據(jù)權利要求13所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述陰極管和所述分隔板由相同材料制成。

16.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述通道的長度可以從50mm到3000mm，沿所通道長度的截面的長度和寬度可以從2mm到15mm。

17.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述硼材料的涂覆方法選自電泳法、物理氣相沉淀法和等離子噴涂法中的一種。

18.根據(jù)權利要求17所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述物理氣相沉淀法包括電子束蒸發(fā)、磁控濺射和脈沖激光沉積。

19.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：每個所述絕緣端板中設有獨立的電極絲固定裝置，用于固定所述電極絲。

20.根據(jù)權利要求19所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述電極絲固定裝置為對應每個所述通道的夾絲管，其嵌在所述絕緣端板中以允許所述通道中的電極絲從其中穿過并固定該電極絲。

21.根據(jù)權利要求20所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述絕緣端板面向所述通道的一側上設有對應每個通道的限位孔，以方便所述電極絲經(jīng)由該孔進入所述夾絲管。

22.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述絕緣端板可以由下列材料中的一種制成：陶瓷、玻璃纖維板、聚四氟乙烯、聚酰亞胺和聚醚醚酮。

23.根據(jù)權利要求1所述的涂硼中子探測器，其特征在于：所述絕緣端板由一塊整板制成。