[實用新型]高效率熱輻射碳素晶體電熱膜無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120112869.7 | 申請日: | 2011-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN202043306U | 公開(公告)日: | 2011-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳正權(quán) | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州住邦新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B3/36 | 分類號: | H05B3/36 |
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| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高效率 熱輻射 碳素 晶體 電熱 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電熱膜,具體涉及一種高效率熱輻射碳素晶體電熱膜。
背景技術(shù)
隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,人們對于取暖的設(shè)備的需求越來越高,以往的取暖設(shè)備總是存在耗能較大取暖效果不理想的問題。近些年來,隨著碳素晶體電熱技術(shù)的發(fā)展,由碳素晶體材料制成的取暖設(shè)備正日益成為一種重要的取暖設(shè)備出現(xiàn)在市場上,但是由于技術(shù)尚沒有發(fā)展完善,現(xiàn)在的碳素晶體電熱取暖設(shè)備普遍存在熱輻射效率不高,不能很好的滿足取暖需要的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種通過改進(jìn)碳素晶體的形狀從而實現(xiàn)熱輻射量增加的高效率熱輻射碳素晶體電熱膜。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
高效率熱輻射碳素晶體電熱膜,包括:載體膜;其特征在于,還包括:多個由碳素晶體材料制成的電熱單元體、連接在上述電熱單元體兩端的用于將上述電熱單元并聯(lián)的金屬載流條、用于封裝的絕緣封裝膜;上述多個電熱單元體和金屬載流條設(shè)置在上述載體膜上,上述絕封裝膜將上述載體膜、電熱單元體和金屬載流條組成的整體封裝在內(nèi)部;上述多個電熱單元體為波浪形的條帶結(jié)構(gòu)。
前述的高效率熱輻射碳素晶體電熱膜,其特征在于,上述電熱單元體為碳素晶體材料制成的并印制在上述載體膜上的導(dǎo)電油墨,上述金屬載流條為印制在上述載體膜上的貴金屬涂層。
本發(fā)明的有益之處在于:
采用薄膜式的結(jié)構(gòu)適于安裝、節(jié)省空間;碳素晶體材料通電后產(chǎn)生的紅外輻射能夠增強(qiáng)的人的健康;電熱單元體采用波浪形的條帶結(jié)構(gòu)能夠大大的增加熱輻射的面積,從而提高單片電熱膜的輻射效率。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的高效率熱輻射碳素晶體電熱膜的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的高效率熱輻射碳素晶體電熱膜的載體膜的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中附圖標(biāo)記的含義:
1、載體膜,2、電熱單元體,3、金屬載流條,4、絕緣封裝膜。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作具體的介紹。
參照圖1和圖2,本發(fā)明的高效率熱輻射碳素晶體電熱膜包括:載體膜1、由碳素晶體材料制成的電熱單元體2、金屬載流條3、絕緣封裝膜4。
如圖1中所示,電熱單元體2和金屬載流條3設(shè)置在載體膜1上,絕緣封裝膜4將載體膜1、電熱單元體2和金屬載流條3構(gòu)成的整體封裝在內(nèi)部,由于絕緣封裝膜4是電絕緣材料制成的,所以能夠保證內(nèi)部結(jié)構(gòu)與外界實現(xiàn)電絕緣保障使用安全,這里需要說明的是,因為金屬載流條3還需要通過導(dǎo)線與外界電源進(jìn)行連接,所以絕緣封裝膜4并不是完全密封的,外界導(dǎo)線可以穿過絕緣密封膜4與金屬載流條3連接。
另外,電熱單元2和金屬載流條3在載體膜1上的結(jié)構(gòu)和形狀如圖2中所示,金屬載流條3設(shè)置在多個電熱單元2的兩側(cè),將它們并聯(lián)起來,為了能夠增大單片電熱膜總的熱輻射的面積,每個電熱單元體都采用了波浪形的條帶結(jié)構(gòu),這無疑增加了碳素晶體材料制成的電熱單元體2的覆蓋面積,也就提高了輻射放熱的面積,提高輻射效率。
作為一種優(yōu)選方案,電熱單元體2為碳素晶體材料制成的并印制在載體膜1上的導(dǎo)電油墨,金屬載流條3為印制在載體膜1上的貴金屬涂層。也就是說,電熱單元體2由以碳素晶體材料制成的導(dǎo)電油墨在載體膜1印制一條條的波浪形的條帶,同時在它們的兩端設(shè)置與每條波浪形條帶都相接的貴金屬涂層作為金屬載流條,用于從外界引入電流提供電熱的電能。
上述實施例不以任何形式限制本發(fā)明,凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案,均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
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