[實用新型]通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體發光二極管二次封裝件

無效

• 申請號: 201120100295.1
• 申請日: 2011-04-08
• 公開（公告）號: CN202025756U
• 公開（公告）日: 2011-11-02
• 發明（設計）人: 袁毅
• 申請（專利權）人: 袁毅
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L33/48;H01L23/00;H01L23/49;H01L33/62
• 代理公司: 中山市科創專利代理有限公司 44211
• 代理人: 謝自安

1.一種通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體發光二極管二次封裝件，其特征在于：包括支架(1)，在所述的支架(1)上通過導電膠(5)粘接有至少一個半導體發光二極管封裝件(3)和至少一個驅動或控制電路器件(4)，在所述的半導體發光二極管封裝件(3)與驅動或控制電路器件(4)之間連接有鍍金鍵合銅絲(6)，在所述的半導體發光二極管封裝件(3)與所述的支架(1)連接有鍍金鍵合銅絲(6)，所述的驅動或控制電路器件(4)與支架(1)之間設有鍍金鍵合銅絲(6)，在所述的支架(1)，半導體發光二極管封裝件(3)，驅動或控制電路器件(4)，鍍金鍵合銅絲(6)外封裝有的密封體(7)。

2.根據權利要求1所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體發光二極管二次封裝件，其特征在于所述的半導體發光二極管封裝件(3)包括半導體發光二極管和封裝所述半導體發光二極管的封裝體。

3.根據權利要求1或2所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體發光二極管二次封裝件，其特征在于所述鍍金鍵合銅絲(6)包括銅芯線(61)或銅合金芯線(62)，在銅芯線(61)或銅合金芯線(62)的表面包覆有金層(63)，所述的金層(63)是通過電化學鍍或化學鍍工藝沉積在銅芯線(61)或銅合金芯線(62)表面上形成的。

4.根據權利要求1所述的通過鍍金鍵合銅絲連接的半導體發光二極管二次封裝件，其特征在于所述的鍍金鍵合銅絲(6)直徑范圍為0.075mm-0.010mm，金層(63)厚度為0.1-0.4um。