[實用新型]純MOS結構高精度電流基準源有效
| 申請號： | 201120086365.2 | 申請日： | 2011-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN202075652U | 公開（公告）日： | 2011-12-14 |
| 發明（設計）人： | 張啟東;賈雪絨 | 申請（專利權）人： | 西安華芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 結構 高精度 電流 基準 | ||
1.純MOS結構高精度電流基準源，包括正溫度系數電流產生電路、負溫度系數電流產生電路、零溫度系數電流鏡像電路和為這三個電路提供電源的直流電壓源，零溫度系數電流鏡像電路的鏡像電流引入端即所述正溫度系數電流產生電路和負溫度系數電流產生電路輸出的正、負溫度系數電流的匯合節點，零溫度系數電流鏡像電路的鏡像電流輸出即高精度電流基準源的輸出；
其特征在于：所述正溫度系數電流產生電路、負溫度系數電流產生電路的溫度系數電流產生元件分別為第一耗盡型MOS管、第二耗盡型MOS管；所述正溫度系數電流產生電路還包括自偏置電壓產生電路以及由其控制的壓控恒流源，所述壓控恒流源的輸出作為第一耗盡型MOS管的給定輸入，所述自偏置電壓產生電路的輸入參考電流取自零溫度系數電流鏡像電路。
2.根據權利要求1所述的高精度電流基準源，其特征在于：所述第一耗盡型MOS管采用柵源短接的結構，所述第二耗盡型MOS管柵極直接接地，源極經電阻接地；所述負溫度系數電流產生電路采用P型MOS管共源共柵結構做電流鏡像得到的第二耗盡型MOS管的漏極鏡像電流與所述第一耗盡型MOS管的源極電流匯合。
3.根據權利要求2所述的高精度電流基準源，其特征在于：所述壓控恒流源是一個P型MOS管，該P型MOS管的源極接所述直流電壓源，其柵極接所述自偏置電壓產生電路的偏置電壓輸出端，其漏極接所述第一耗盡型MOS管的漏極。
4.根據權利要求3所述的高精度電流基準源，其特征在于：所述零溫度系數電流鏡像電路包括并聯的多個鏡像電流支路，其中一個鏡像電流支路上設置有用以調節自偏置電壓的分壓電阻，該分壓電阻的負端作為偏置電壓輸出端與作為壓控恒流源的P型MOS管的柵極連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安華芯半導體有限公司，未經西安華芯半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201120086365.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種主機及計算機系統
- 下一篇：一種發熱及控溫裝置
